Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 6749-2-1:2017 (IEC 60384-2-1:2005) về Tụ điện không đổi dùng trong thiết bị điện tử - Phần 2-1: Quy định kỹ thuật cụ thể còn để trống: Tụ điện không đổi điện một chiều điện môi màng mỏng polyethylene terephthalate phủ kim loại - Mức đánh giá E và EZ

[1]

TCVN 6749-2-1 (IEC 60384-2-1)

QC XXXXXXXXXXX                   [2]

LINH KIỆN ĐIỆN TỬ CÓ CHẤT LƯỢNG ĐƯỢC ĐÁNH GIÁ PHÙ HỢP VỚI:

[3]

TCVN 6749-2-1 (IEC 60384-2-1)
QC XXXXXX                               [4]

TỤ ĐIỆN KHÔNG ĐỔI ĐIỆN MỘT CHIỀU ĐIỆN MÔI MÀNG MỎNG POLYETHYLENE TEREPHTHALATE PHỦ KIM LOẠI

                                                    [5]

Bản vẽ hình bao (xem Bảng 1) (Hình chiếu góc đầu tiên)

[7]

(Các hình dạng khác được cho phép trong kích thước đã cho)

                                                    [6]

(Các) mức đánh giá E và EZ      [8]

Cấp tính năng:

CHÚ THÍCH: Đối với [1] đến [9]: xem trang trước.

Thông tin về có các linh kiện phù hợp với quy định kỹ thuật cụ thể này được cho trong IEC QC 001005

                                 [9]

Tham chiếu cỡ của vỏ bọc

Kích thước

Ø

L

H

d

….

Trường hợp không có tham chiếu cỡ của vỏ bọc, có thể bỏ qua Bảng 1 và các kích thước phải được cho trong Bảng 2, khi đó Bảng 2 trở thành Bảng 1.

Phải cho các kích thước lớn nhất hoặc các kích thước danh nghĩa cùng với dung sai.

Điện áp danh định

Điện áp chủng loại *

Điện dung danh định (tính bằng nF và/hoặc μF)

Cỡ của vỏ hộp

Cỡ của vỏ hộp

Cỡ của vỏ hộp

Cỡ của vỏ hộp

* Nếu khác với điện áp danh định.

Bảng này được sử dụng để xác định các đặc tính bổ sung hoặc khắc nghiệt hơn so với các đặc tính quy định trong quy định kỹ thuật từng phần.

Số điều và thử nghiệm^a)

D hoặc ND^c)

Điều kiện thử nghiệm¹⁾

IL

Mức E

Mức EZ

Yêu cầu về tính năng^a)

AQL ^c)

n

c

Kiểm tra nhóm A

(theo lô)

Phân nhóm A0

4.3.2  Điện dung

4.3.3  Tang của góc tổn hao

4.3.1  Chịu điện áp (Thử nghiệm A)

4.3.4  Điện trở cách điện (Thử nghiệm A)

ND

Tần số: 1 kHZ đối với tất cả các giá trị điện dung

Phương pháp:...

Điểm đo 1a

Điểm đo 1a

100 %^d)

Trong phạm vi dung sai quy định

Như ở 4.3.3.2

Không có phóng điện đánh thủng hoặc phóng điện bề mặt

Cho phép phóng điện đánh thủng tự phục hồi

Như ở 4.3.4.3

Phân nhóm A1

4.1  Kiểm tra bằng mắt

4.1  Kích thước (đo)

ND

S-3

2,5 %

^b)

0

Như ở 4.1

Ghi nhãn rõ ràng và như quy định ở 1.5 của quy định kỹ thuật này

Như quy định trong Bảng 1 của quy định kỹ thuật này.

Phân nhóm A2

4.2.2  Điện dung

4.2.3  Tang của góc tổn hao

4.2.1  Chịu điện áp (Thử nghiệm A)

4.2.4  Điện trở cách điện (Thử nghiệm A)

ND

S-3

1,0%

^b)

0

Trong khoảng dung sai quy định

Như ở 4.2.3.2

Không có phóng điện đánh thủng hoặc phóng điện bề mặt

Như ở 4.2.4.2

Kiểm tra nhóm B

(theo lô)

Phân nhóm B1

4.5  Khả năng hàn

4.15  Khả năng chịu dung môi của ghi nhãn (nếu áp dụng)

ND

Không lão hóa Phương pháp:...

Dung môi:...

Nhiệt độ dung môi:... Phương pháp 1

Vật liệu chà sát:...

Thời gian phục hồi:

S-3

2,5 %

^b)

0

Độ bám thiếc tốt với bằng chứng là dòng thiếc hàn chảy tự do bám thiếc các đầu nối hoặc hợp kim hàn phải chảy trong... s, nếu áp dụng

Ghi nhãn rõ ràng.

Số điều và thử nghiệm^a)

D hoặc ND ^c)

Điều kiện thử nghiệm¹⁾

Cỡ mẫu và tiêu chí chấp nhận ^c)

Yêu cầu về tính năng^a)

E

EZ

p

n

c

p

n

c

Kiểm tra nhóm C

(định kỳ)

Phân nhóm C1A

Phần của bộ mẫu thuộc Phân nhóm C1

D

6

9

1

6

5

0

4.1  Kích thước (chi tiết)

Xem quy định kỹ thuật cụ thể

4.3.1  Phép đo ban đầu

Điện dung

Tang của góc tổn hao:

Đối với C_R > 1 μF: ở 1 kHz

        CR≤1 μF: ở 10 kHz

4.3  Độ vững chắc của các chân

Kiểm tra bằng mắt

Không có hư hại nhìn thấy được

4.4  Khả năng chịu nhiệt hàn

Phương pháp:

4.14  Khả năng chịu dung môi của linh kiện (nếu áp dụng)

Dung môi:...

Nhiệt độ dung môi:... Phương pháp 2

Thời gian phục hồi:...

Xem quy định kỹ thuật cụ thể

4.4.2  Phép đo kết thúc

Kiểm tra bằng mắt

Không có hư hại nhìn thấy được

Ghi nhãn rõ ràng

Điện dung

ΔC/C ≤ 2 % của giá trị đo được ban đầu

Tang của góc tổn hao:

Tang δ tăng lên

≤ 0,003 với C ≤ 1 μF Cấp 1

≤ 0,002 với C > 1 μF Cấp 1

≤ 0,005 với C ≤ 1 μF Cấp 2

≤ 0,003 với C > 1 μF Cấp 2

so với các giá trị đo được ở 4.3.1

Phân nhóm C1B

Phần còn lại của bộ mẫu thuộc Phân nhóm C1

D

6

18

1

6

5

0

Không có hư hại nhìn thấy được

4.6.1  Phép đo ban đầu

Điện dung

Tang của góc tổn hao:

Đối với CR > 1 μF: ở 1 kHz

   C_R≤1 μF: ở 10 kHz

4.6  Thay đổi nhanh nhiệt độ

T_A = Nhiệt độ dưới của chủng loại

T_B - Nhiệt độ trên của chủng loại

5 chu kỳ

Thời gian t = 30 min Kiểm tra bằng mắt

4.7  Rung

Phương pháp lắp:

Xem 1.1 của quy định kỹ thuật này

Dải tần số:

... Hz đến... Hz

Biên độ 0,75 mm hoặc gia tốc 100 m/s² (chọn phương án ít khắc nghiệt hơn)

Thời gian tổng: 6 h

4.7.2  Kiểm tra cuối cùng

Kiểm tra bằng mắt

Không có hư hại nhìn thấy được

4.8  Va đập (hoặc xóc, xem 4.9)

Phương pháp gắn kết: xem 1.1 của quy định kỹ thuật này

Số lượng va đập: ...

Gia tốc: ... m/s²

Thời gian của xung:... ms

4.9  Xóc (hoặc va đập, xem 4.8)

Phương pháp gắn kết:

xem 1.1 của quy định kỹ thuật này

Gia tốc: ... m/s²

Thời gian của xung:... ms

4.8.3 hoặc 4.9.3 Phép đo kết thúc

Kiểm tra bằng mắt

Không có hư hại nhìn thấy được

Điện dung

ΔC/C ≤ 5 % giá trị đo được ở 4.6.1

Tang của góc tổn hao

Điện trở cách điện

Tang δ tăng lên

≤ 0,003 với C ≤ 1 μF Cấp 1

≤ 0,002 với C > 1 μF Cấp1

≤ 0,005 với C ≤ 1 μF Cấp 2

≤ 0,003 với C > 1 μF Cấp 2

so với các giá trị đo được ở 4.6.1

≥ 50% các giá trị ở 4.2.4.2

Phân nhóm C1

Bộ mẫu kết hợp các mẫu của các phân nhóm C1A và C1B

4.10  Trình tự khí hậu

D

6

27

2

6

10

0

4.10.2  Nhiệt khô

Nhiệt độ: Nhiệt độ trên của chủng loại

Thời gian: 16 h

4.10.3  Nhiệt ẩm, chu kỳ, Thử nghiệm Db, chu kỳ đầu tiên

4.10.4  Lạnh

Nhiệt độ: Nhiệt độ dưới của chủng loại

Thời gian: 2 h

4.10.5  Áp suất không khí thấp (nếu quy định kỹ thuật cụ thể yêu cầu)

Áp suất không khí: 8 kPa

4.10.5.3  Phép đo trung gian

Kiểm tra bằng mắt

Không có phóng điện đánh thủng, phóng điện bề mặt hoặc biến dạng có hại của vỏ

4.10.6  Nhiệt ẩm, chu kỳ, Thử nghiệm dB, các chu kỳ còn lại

4.10.6.2  Phép đo kết thúc

Kiểm tra bằng mắt

Không có hư hại nhìn thấy được

Ghi nhãn rõ ràng.

Điện dung

ΔC/C ≤ 5 % giá trị đo được ở 4.4.2, 4.8.3 hoặc 4.9.3 nếu áp dụng

Tang của góc tổn hao

Tang δ tăng lên

≤ 0,005 với C ≤ 1 μF Cấp 1

≤ 0,003 với C > 1 μF Cấp1

≤ 0,008 với C ≤ 1 μF Cấp 2

≤ 0,005 với C > 1 μF Cấp 2

so với các giá trị đo được ở 4.3.1 hoặc 4.6.1 nếu áp dụng

Điện trở cách điện

≥ 50% các giá trị ở 4.2.4.2

Phân nhóm C2

4.11  Nóng ẩm. không đổi

D

6

15

1

6

10

0

4.11.1  Phép đo ban đầu

Điện dung

Tang của góc tổn hao ở 1 kHz

4.11.3  Phép đo kết thúc

Kiểm tra bằng mắt

Không có hư hại nhìn thấy được

Ghi nhãn rõ ràng

Điện dung

ΔC/C ≤ 5 % của giá trị đo được ở 4.11.1

Tang của góc tổn hao

Tang δ tang lên:

≤0,005 so với các giá trị đo được ở 4.11.1

Điện trở cách điện

≥ 50 % của giá trị ở 4.2.4.2

Phân nhóm C3

D

3

21

1

6

10

0

4.12  Chịu điện áp

Thời gian:

Cấp 1: 2 000 h

Cấp 2: 1 000 h

4.12.1  Phép đo ban đầu

Tụ điện

Tang của góc tổn hao:

Đối với C_R> 1 μF: ở 1 kHz

        C_R≤ 1 μF: ở 10 kHz

4.12.5  Phép đo kết thúc

Kiểm tra bằng mắt

Không có hư hại nhìn được

Ghi nhãn rõ ràng.

Điện dung

ΔC/C ≤ 5 % đối với Cấp 1

          ≤ 8% đối với Cấp 2

của giá trị đo được ở 4.12.1

Tang của góc tổn hao

Tang δ tăng lên

≤ 0,003 với C ≤ 1 μF Cấp 1

≤ 0,002 với C > 1 μF Cấp1

≤ 0,008 với C ≤ 1 μF Cấp 2

≤ 0,003 với C > 1 μF Cấp 2

so với các giá trị đo được ở 4.12.1

Điện trở cách điện

≥ 50% các giá trị ở 4.2.4.2

Phân nhóm C4

D

3

9

1

6

10

0

4.13  Nạp điện và phóng điện

4.13.1  Phép đo ban đầu

Điện dung

Tang của góc tổn hao:

Đối với C_R> 1 μF: ở 1 kHz

        C_R≤ 1 μF: ở 10 kHz

Thời gian nạp điện:... s

Thời gian phóng điện:... s

4.13.3  Phép đo kết thúc

Điện dung

ΔC/C ≤ 3 % đối với Cấp 1,
ΔC/C ≤ 5 % đối với Cấp 2, của giá trị đo được ở 4.13.1

Tang của góc tổn hao

Tang δ tăng lên

≤ 0,003 với C ≤ 1 μF Cấp 1

≤ 0,002 với C > 1 μF Cấp1

≤ 0,005 với C ≤ 1 μF Cấp 2

≤ 0,003 với C > 1 μF Cấp 2

so với các giá trị đo được ở 4.13.1

Điện trở cách điện

≥ 50% các giá trị ở 4.2.4.2

^a) Số điều của các thử nghiệm và của các yêu cầu tính năng là số điều của quy định kỹ thuật từng phần TCVN 6749-2 (IEC 60384-2) và Điều 1 của quy định kỹ thuật này.

^b) Số lượng cần được thử nghiệm: Cỡ mẫu được đành riêng trực tiếp cho chữ cái mã đối với IL trong Bảng 2A của IEC 60410 (Phương án lấy mẫu duy nhất đối với kiểm tra bình thường)

^c) Trong bảng này:

p = định kỳ (tính bằng tháng);

n = cỡ mẫu;

c = tiêu chí chấp nhận (số lượng cho phép các hạng mục không phù hợp);

D = phá hủy;

ND = không phá hủy;

^d) Thử nghiệm 100 % phải được tiếp tục bằng cách kiểm tra lại bằng cách lấy mẫu để theo dõi mức chất lượng đầu ra, tính bằng số các hạng mục không phù hợp trên một triệu (ppm). Mức lấy mẫu do nhà chế tạo xác định. Để tính toán các giá trị ppm, bất kỳ trường hợp tham số không đạt nào đều được tính như là một hạng mục không phù hợp. Trường hợp một hoặc nhiều hạng mục không phù hợp xảy ra trên một bộ mẫu, thì lô này phải bị loại bỏ.