Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 11688-3:2016 (ISO/IEC 10373-3:2010) về Thẻ định danh - Phương pháp thử - Phần 3: Thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc và thiết bị giao diện liên quan

TCVN 11688-3:2016

ISO/IEC 10373-3:2010

THẺ ĐỊNH DANH - PHƯƠNG PHÁP THỬ - PHẦN 3: THẺ MẠCH TÍCH HỢP CÓ TIẾP XÚC VÀ THIẾT BỊ GIAO DIỆN LIÊN QUAN

Identification cards - Test methods -Part 3: Integrated circuit cards with contacts and related interface devices

Lời nói đầu

TCVN 11688-3:2016 hoàn toàn tương đương với ISO/IEC 10373-3:2010 và đính chính ISO/IEC 10373-3:2006/Cor.1:2013.

TCVN 11688-3:2016 do Tiểu Ban kỹ thuật tiêu chuẩn quốc gia TCVN/JTC 1/SC 17 “Thẻ nhận dạng” biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.

Hiện nay, bộ tiêu chuẩn TCVN 11688 (ISO/IEC 10373) về Thẻ định danh- Phương pháp kiểm thử gồm các tiêu chuẩn:

- TCVN 11688-1:2016 (ISO/IEC 10373-1:2016 and AMD 1:2012),Phần 1: Đặc tính chung;

- TCVN 11688-2:2016 (ISO/IEC 10373-2:2015), Phần 2: Thẻ có sọc từ;

- TCVN 11688-3:2016 (ISO/IEC 10373-3:2010), Phần 3: Thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc và thiết bị giao diện liên quan;

- TCVN 11688-6:2016 (ISO/IEC 10373-6:2016), Phần 6: Thẻ cảm ứng.

THẺ ĐỊNH DANH - PHƯƠNG PHÁP THỬ - PHẦN 3: THẺ MẠCH TÍCH HỢP CÓ TIẾP XÚC VÀ THIẾT BỊ GIAO DIỆN LIÊN QUAN

Identification cards - Test methods -Part 3: Integrated circuit cards with contacts and related interface devices

1 Phạm vi áp dụng

Tiêu chuẩn này xác định phương pháp thử cho đặc tính của thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc và thiết bị giao diện liên quan theo định nghĩa trong TCVN 11167 (ISO/IEC 7816). Mỗi phương pháp thử được tham chiếu chéo với một hoặc nhiều tiêu chuẩn cơ bản, có thể là TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) hoặc một hay nhiều tiêu chuẩn bổ sung để xác định công nghệ lưu giữ thông tin trong các ứng dụng thẻ định danh.

CHÚ THÍCH Các tiêu chí đối với khả năng chấp nhận không thuộc phạm vi áp dụng của tiêu chuẩn này, mà có thể trong các tiêu chuẩn khác đã nêu ở trên.

Tiêu chuẩn này xác định phương pháp thử cụ thể đối với công nghệ mạch tích hợp có tiếp xúc. TCVN 11688-1 (ISO/IEC 10373-1) xác định các phương pháp thử chung cho một hoặc nhiều công nghệ thẻ và các tiêu chuẩn khác trong bộ TCVN 11688 (ISO/IEC 10373) xác định các phương pháp thử công nghệ cụ thể.

Phương pháp thử mô tả trong tiêu chuẩn này được thực hiện riêng rẽ và độc lập. Một thẻ không nhất thiết phải đạt qua tất cả thử nghiệm theo đúng trình tự. Phương pháp thử xác định trong tiêu chuẩn này dựa trên TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

Sự phù hợp của thẻ và các IFD xác định bằng cách sử dụng các phương pháp thử trong tiêu chuẩn này không ngăn được các thất bại trong trường. Thử nghiệm độ tin cậy nằm ngoài phạm vi tiêu chuẩn này.

Tiêu chuẩn này không quy định bất kỳ thử nghiệm nào thiết lập chức năng đầy đủ của thẻ mạch tích hợp. Phương pháp thử ở đây chỉ yêu cầu chức năng tối thiểu được kiểm tra. Chức năng tối thiểu được định nghĩa như sau.

- Mọi mạch tích hợp có trong thẻ vẫn thể hiện đáp ứng Answer to Reset (ARP) phù hợp với tiêu chuẩn cơ bản.

- Mọi tiếp xúc liên kết với mạch tích hợp có trong thẻ vẫn thể hiện điện trở phù hợp với tiêu chuẩn cơ bản.

2 Tài liệu viện dẫn

Các tài liệu viện dẫn sau rất cần thiết cho việc áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu viện dẫn ghi năm công bố thì áp dụng phiên bản được nêu. Đối với các tài liệu viện dẫn không ghi năm công bố thì áp dụng phiên bản mới nhất, bao gồm cả sửa đổi (nếu có).

TCVN 11165:2016 (ISO/IEC 7810:2003), Thẻ định danh - Đặc tính vật lý.

TCVN 11167-3:2015 (ISO/IEC 7816-3:2006), Thẻ định danh - Thẻ mạch tích hợp - Phần 3: Thẻ có tiếp xúc - Giao diện điện và giao thức truyền dẫn;

TCVN 11167-4:2016 (ISO/IEC 7816-4:2005), Thẻ định danh - Thẻ mạch tích hợp - Phần 4: Tổ chức, an toàn và lệnh trao đổi.

3 Thuật ngữ và định nghĩa

Tiêu chuẩn này áp dụng các thuật ngữ và định nghĩa dưới đây.

3.1

Thẻ (card)

Thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc như định nghĩa trong TCVN 11167 (ISO/IEC 7816).

3.2

Thiết bị đang thử nghiệm (device under test)

DUT

Thẻ thử nghiệm hoặc IFD là đối tượng thử nghiệm.

3.3

Hệ số etu (etu-factor)

Tham số có thể chuyển đổi bởi giao thức và việc lựa chọn tham số (PPS), mô tả trong 6.3.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

3.4

IFD

Thiết bị giao diện liên quan đến thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc định nghĩa trong TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

3.5

Sử dụng thông thường (normal use)

Sử dụng như một thẻ định danh theo 4.1, TCVN 11165 (ISO/IEC 7810), liên quan đến các quá trình thiết bị phù hợp với công nghệ thẻ và lưu trữ như một tài liệu cá nhân giữa các quá trình thiết bị.

3.6

Phương pháp thử (test method)

Phương pháp để thử nghiệm đặc tính của thẻ định danh và các thiết bị giao diện liên quan để xác nhận sự tuân thủ của thẻ và thiết bị với các tiêu chuẩn.

3.7

Kịch bản thử nghiệm (test scenario)

Giao thức điển hình xác định và ứng dụng truyền thông cụ thể được sử dụng với các phương pháp thử xác định trong tiêu chuẩn này.

3.8

Giao thức điển hình và truyền thông ứng dụng cụ thể (typical protocol, and application specificcommunication)

Truyền thông giữa một DUT và dụng cụthử nghiệm tương ứng dựa trên giao thức và ứng dụng thực hiện trong DUT và thể hiện việc sử dụng thông thường.

4 Hạng mục chung áp dụng đối với phương pháp thử

4.1 Môi trường thử nghiệm

Trừ khi có quy định khác, thử nghiệm đặc tính vật lý, điện và lô-gic phải tiến hành trong môi trường có nhiệt độ 23°C ± 3°C, độ ẩm tương đối 40% đến 60%.

4.2 Điều kiện ổn định trước

Ởđây, điều kiện ổn định trước được yêu cầu bởi phương pháp thử, các thẻ định danh được thử nghiệm phải ở điều kiện môi trường thử nghiệm trong khoảng thời gian là 24 giờ trước khi tiến hành thử nghiệm.

4.3 Lựa chọn phương pháp thử

Thử nghiệm phải được áp dụng như yêu cầu để thử nghiệm các thuộc tính của thẻ xác định bởi tiêu chuẩn cơ bản có liên quan (xem 4.8).

4.4 Dung sai mặc định

Trừ khi có quy định khác, dung sai mặc định là ± 5 % phải được áp dụng cho các giá trị đại lượng cho trước để quy định các đặc tính của thiết bị thử nghiệm (ví dụ các kích thước tuyến tính) và các qui trình phương pháp thử (ví dụ: điều chỉnh thiết bị thử nghiệm).

4.5 Độ không đảm bảo đo tổng

Độ không đảm bảo đo tổng cho từng đại lượng xác định bởi các phương pháp thử này phải được nêu trong báo cáo thử nghiệm.

4.6 Quy ước phép đo điện

Sự khác biệt tiềm tàng được xác định liên quan đến tiếp xúc GND (tiếp đất) của thẻ và các dòng đến thẻ được coi là dương.

4.7 Dụng cụ

4.7.1 Dụng cụ thử nghiệm thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc (dụng cụ thử nghiệm thẻ)

4.7.1.1 Tạo diện áp VCC (Ucc) và định xung nhịp thời gian

Bảng 1 - Điện áp và định xung nhịp thời gian cho VCC

Tham số	Điều kiện hoạt động	Dải	Độ chính xác
Ucc	Lớp A, B, C	-1 V đến 6 V	±20 mV
t_R, t_F	Lớp A, B, C	0 μs đến 500 μs	± 100 μs

4.7.1.2 Đo ICC

Bảng 2 - Tham số I_CC

Đặc tính	Chế độ	Dải	Độ chính xác	Độ phân giải
I_CC	Đo đỉnh nhọn	0 mA đến 200 mA	± 2 mA	20 ns
	Chế độ kích hoạt	0 mA đến 100 mA	± 1 mA	Trung bình trên 1 ms
	Dừng xung đồng hồ	0 μA đến 200 μA	± 10 μA	Trung bình trên 1 ms

4.7.1.3 Tạo điện áp SPU (C6)

Xem 5.5 và TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

4.7.1.4 Tạo điện áp RST và định xung nhịp thời gian

Bảng 3 - Điện áp RST và định xung nhịp thời gian

Tham số	Điều kiện hoạt động	Dải	Độ chính xác
U_IH, U_IL	Lớp A, B	-1 V đến 6 V	± 20 mV
U_IH	Lớp C	-1 V đến 2 V	±20 mV
U_IL	Lớp C	-1 V đến 1 V	±20 mV
t_R, t_F		0 μs đến 2 μs	± 20 ns
CHÚ THÍCH t_R và t_Fđược tạo giữa 10% và 90% của giá trị V_H nhỏ nhất và V_L lớn nhất.

4.7.1.5 Đo dòng RST

Bảng 4 - Dòng RST

Đặc tính	Chế độ	Dải	Độ chínhxác	Độ phân giải
I_IH	Kích hoạt	-30 μA đến 200 μA	± 10 μA	100 ns
l_lL	Kích hoạt	-200 μA đến 30 μA	± 10 μA	100 ns

4.7.1.6 Tạo điện áp I/O và định xung nhịp thời gian trong chế độ tiếp nhận

Bảng 5 - Điện áp I/O và định xung nhịp thời gian

Tham số	Chế độ	Điều kiện hoạtđộng	Dải	Độ chính xác
U_lH, U_lL	Thẻ: Tiếp nhận, Dụng cụ: Truyền dẫn	Lớp A, B	-1 V đến 6 V	±20 mV
U_lH	Thẻ: Tiếp nhận, Dụng cụ: Truyền dẫn	Lớp C	-1 V đến 2 V	±20 mV
U_lL	Thẻ: Tiếp nhận, Dụng cụ: Truyền dẫn	Lớp C	-1 V đến 1 V	± 20 mV
t_R, t_F	Thẻ: Tiếp nhận, Dụng cụ: Truyền dẫn		0 μs đến 2 μs	± 100 ns
CHÚ THÍCH t_R và t_Fđược tạo giữa 10% và 90% của giá trị V_H nhỏ nhất và V_Llớn nhất.

4.7.1.7 Đo dòng I/O trong chế độ tiếp nhận

Bảng 6 - Dòng I/O (chế độ tiếp nhận)

Tham số	Chế độ	Dải	Độ chính xác	Độ phân giải
l_lH	Thẻ: Tiếp nhận, Dụng cụ: Truyền dẫn	-300 μA đến 30 μA	± 10 μA	100 ns
l_lL	Thẻ: Tiếp nhận, Dụng cụ: Truyền dẫn	-1,5 mA đến -0,2 mA	± 50 μA	100 ns
l_lL	Thẻ: Tiếp nhận, Dụng cụ: Truyền dẫn	-200 μA đến 30 μA	± 10 μA	100 ns

4.7.1.8 Tạo dòng I/O

Bảng 7 - Dòng I/O

Tham số

Chế độ

Dải

Độ chính xác

Thời gian ổn định sau khi đạt đến mức

l_OH

Thẻ: Truyền dẫn

Dụng cụ: Tiếp nhận

20 kΩ nâng đến VCC hoặc mạch tương đương

±200Ω

l_OL

Thẻ: Truyền dẫn

Dụng cụ: Tiếp nhận

0 mA đến 1,5 mA

± 50 μA

4.7.1.9 Đo diện áp I/O và định xung nhịp thời gian

Bảng 8 - Điện áp I/O và định xung nhịp thời gian

Đặc tính	Điều kiện hoạt động	Dải	Độ chính xác	Độ phân giải
U_lH, U_lL	Lớp A, B, C	-1 V đến 6 V	±20 mV	20 ns
t_R, t_F		0 μs đến 2 μs	± 20 ns
CHÚ THÍCH t_R và t_F được đo giữa 10% và 90% của giá trị V_H nhỏ nhất và V_L lớn nhất.

4.7.1.10 Tạo điện áp CLK

Bảng 9 - Điện áp CLK

Tham số	Điều kiện hoạt động	Dải	Độ chính xác	Độ phân giải
U_lH, U_l_L	Lớp A, B	-1 V đến 6 V	±20 mV	20 ns
U_lH	Lớp C	-1 V đến 2 V	±20 mV	20 ns
U_lL	Lớp C	-1 V đến 2 V	±20 mV	20 ns

4.7.1.11 Tạo dạng sóng CLK (phép đo chu kì đơn)

Bảng 10 - Dạng sóng CLK

Tham số	Dải	Độ chính xác
Chu kì nhiệm vụ	35 % đến 65 % của giai đoạn	± 5 ns
Tần xuất	0,5 MHz đến 5,5 MHz	±5 kHz
Tần xuất	5 MHz đến 20,5 MHz	± 50 kHz
t_R, t_F	1 % đến 10 % của giai đoạn	± 5 ns
CHÚ THÍCH t_R và t_F được đo giữa 10% và 90% của V_H (100%) nhỏ nhất và V_L (0%) lớn nhất

4.7.1.12 Đo dòng CLK

Bảng 11 - Dòng CLK

Đặc tính	Chế độ	Dải	Độ chính xác	Độ phân giải
l_lH	kích hoạt	-30 μA đến 150 μA	± 10 μA	20 ns
l_lL	kích hoạt	-150 μA đến 30 μA		20 ns

4.7.1.13 Đo điện dung tiếp xúc của RST, CLK và I/O

Bảng 12 - Điện dung tiếp xúc

Đặc tính	Dải	Độ chính xác
C	0 pF đến 50 pF	±5pF
Điện dung tiếp xúc của một tiếp xúc phải được đo giữa tiếp xúc và tiếp xúc GND (tiếp đất).

4.7.1.14 Tạo trình tự kích hoạt và vô hiệu hóa của các tiếp xúc

Bảng 13 - Kích hoạt và vô hiệu hóa

Dải chuyển mạch tín hiệu	Độ chính xác
0 s đến 1 s	± 200 ns (hoặc 1 khoảng CLK, nơi nhỏ hơn)

4.7.1.15 Mô phỏng giao thức I/O

Dụng cụthử nghiệmthẻ phải có khả năng mô phỏng giao thức T=0 và T=1 và ứng dụng IFD được yêu cầu để thực hiện các truyền thông cụ thể ứng dụng điển hình tương ứng đối với các ứng dụng thẻ.

CHÚ THÍCH Nếu một chức năng cụ thể không được thực hiện trong thẻ, thì dụng cụthử nghiệmthẻ không yêu cầu phải có khả năng thử nghiệm tương ứng (ví dụ như giao thức T=1 không thực hiện trong thẻ).

4.7.1.16 Tạo định xung nhịp thời gian ký tự I/O trong chế độ tiếp nhận

Dụng cụthử nghiệmthẻ phải có khả năng tạo chuỗi dữ liệu bit I/O theo TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816- 3). Tất cả tham số định xung nhịp thời gian như độ dài bit bắt đầu, thời gian bảo vệ, tín hiệu báo lỗi v.v, phải cấu hình được.

Bảng 14 - Định xung nhịp thời gian ký tự I/O (chế độ tiếp nhận)

Ký hiệu	Tham số	Độ chính xác
ε_t	Tất cả tham số định xung nhịp thời gian	± 4 Chu kỳ CLK

4.7.1.17 Đo và giám sát giao thức I/O

Dụng cụ-thử nghiệm-thẻ phải có khả năng đo và giám sát định xung nhịp thời gian của các trạng thái thấp và cao theo lô-gic của đườngl/O liên quan đến tần số CLK.

Bảng 15 - Đặc tính định xung nhịp thời gian

Đặc tính	Độ chính xác
tất cả đặc tính định xung nhịp thời gian	± 2 Chu kỳ CLK

4.7.1.18 Phân tích giao thức

Dụng cụthử nghiệmthẻ phải có khả năng phân tích Dòng bit-l/O dữ liệu theo giao thức T=0 và T=1 theo TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) và trích xuất luồng dữ liệu lô-gic để kiểm tra giao thức và ứng dụng chi tiết hơn.

CHÚ THÍCH Nếu một chức năng cụ thể không được thực hiện trong thẻ, thì dụng cụ thử nghiệmthẻ không yêu cầu phải có thử nghiệm khả năng tương ứng (ví dụ như giao thức T=1 không thực hiện trong thẻ). Ngược lại, một dụng cụ có thể cần các khả năng mở rộng, ví dụ: có khả năng tạo mọi lệnh trong trường hợp 2 (xem TCVN 11167-4:2016 (ISO/IEC 7816-4:2005)) nếu thẻ không hỗ trợ tiêu chuẩn READ BINARY (đọc nhị phân).

4.7.2 Dụng cụ thử nghiệm thiết bị giao diện (Dụng cụthử nghiệmIFD)

4.7.2.1 Tạo dòng VCC (l_CC)

Bảng 16 - Dòng VCC

Tham số	Chế độ	Dải	Độ chính xác	Thời gian ổn định sau khi đạt đến mức
l_CC	Giai đoạn đỉnh nhọn	0 mA đến 120 mA	±2mA^b
	Chế độ kích hoạt	0 mA đến 70 mA	± 1 mA
	Chế độ nghỉ (CLK- dừng)	0 mA đến 1,2 mA	± 10 μA
	Không kích hoạt^a	-1,2 mA đến 0 mA	± 10 μA
t_R, t_F		100 ns	± 50 ns
độ dài xung		100 ns đến 500 ns	± 50 ns
độ dài dừng thường xuyên		100 ns đến 1000 ns	± 50 ns
độ dài dừng ngẫu nhiên		10 μs đến 2000 μs	± 1 μs
^aĐiện áp đầu ra lớn nhất phải được giới hạn đến 5 V. ^bCác điều kiện động cho giai đoạn đỉnh nhọn.

4.7.2.2 Đo điện áp VCC (Ucc) và định xung nhịp thời gian

Bảng 17 - Điện áp VCC và định xung nhịp thời gian

Đặc tính	Điều kiện hoạt động	Dải	Độ chính xác	Độ phân giải
Ucc	Lớp A, B, C	-1 V đến 6 V	±20 mV	10 ns

4.7.2.3 Đo điện áp (Ucc) SPU (C6) và định xung nhịp thời gian

Bảng 18 - Điện áp SPU và định xung nhịp thời gian

Đặc tính	Điều kiện hoạt động	Dải	Độ chính xác	Độ phân giải
Ucc	Lớp A, B, C	-1 V đến 6 V	±20 mV	10 ns

4.7.2.4 Tạo dòng RST

Bảng 19 - Dòng RST

Tham số	Chế độ	Dải	Độ chính xác	Thời gianổn định sau khi đạt đến mức
l_lH	kích hoạt	- 30 μA đến 200 μA	± 10 μA
I_I_L	kích hoạt	- 250 μA đến 30 μA	± 10 μA
I ^a	không kích hoạt	-1,2 mA đến 0 mA	± 10 μA
^a Điện áp đầu ra lớn nhất phải được giới hạn từ -0,5 V đến 5,5 V.

4.7.2.5 Đo điện áp RST và định xung nhịp thời gian

Bảng 20 - Điện áp RST và định xung nhịp thời gian

Đặc tính	Điều kiện hoạt động	Dải	Độ chính xác	Độ phân giải
U_lH, U_lL	Lớp A, B, C	-1 V đến 6 V	±20 mV	20 ns
t_R, t_F		0 μs đến 2 μs	± 20 ns
CHÚ THÍCH t_R và t_F được đo giữa 10% và 90% của giá trị V_H nhỏ nhất và V_L lớn nhất.

4.7.2.6 Tạo các dòng I/O

Bảng 21 - Các dòng I/O

Tham số	Chế độ	Dải	Độchính xác	Thời gian ổn định sau khi đạt đến mức
l_lH, l_OH	Dụng cụ: Tiếp nhận và Truyền dẫn IFD: Truyền dẫn và Tiếp nhận	-400 μA đến 50 μA	± 5 μA
I_I_L	Dụng cụ: Tiếp nhận IFD: Truyền dẫn vàTiếp nhận	0 mA đến 1,5 mA	± 10 μA
l_OL	IFD: Tiếp nhận	0 μA đến 1200 μA	± 10 μA
I ^a	Không kích hoạt	-1,2 mA đến 0 mA	± 10 μA
^aĐiện áp đầu ra lớn nhất phải được giới hạn từ -0,5 V đến 5,5 V.

4.7.2.7 Đo điện áp I/O và định xung nhịp thời gian

Bảng 22 - Điện áp I/O và định xung nhịp thời gian

Đặc tính	Điều kiện hoạt động	Dải	Độ chính xác	Độ phân giải
U_lH, U_lL	Lớp A, B, C	-1 V đến 6 V	±20 mV	20 ns
t_R, t_F		0 μs đến 2 μs	± 20 ns
CHÚ THÍCH t_R và t_F được đo giữa 10% và 90% của giá trị V_H nhỏ nhất và V_L lớn nhất.

4.7.2.8 Tạo điện áp I/O và định xung nhịp thời gian trong chế độ truyền dẫn

Bảng 23 - I/O điện áp và định xung nhịp thời gian (chế độ truyền dẫn)

Tham số	Chế độ	Điều kiện hoạt động	Dải	Độ chính xác
U_lH, U_lL	IFD: Tiếp nhận, Dụng cụ: Truyền dẫn	Lớp A, B	-1 V đến 6 V	±20 mV
U_lH	IFD: Tiếp nhận, Dụng cụ: Truyền dẫn	Lớp C	-1 V đến 2 V	±20 mV
U_lL	IFD: Tiếp nhận, Dụng cụ: Truyền dẫn	Lớp C	-1 V đến 1 V	± 20 mV
t_R, t_F	IFD: Tiếp nhận, Dụng cụ: Truyền dẫn		0 μs đến 2 μs	± 100 ns
CHÚ THÍCH t_R và t_F được đo giữa 10% và 90% của giá trị V_H nhỏ nhất và V_L lớn nhất.

4.7.2.9 Đo I/O dòng in chế độ truyền dẫn

Bảng 24 - Dòng I/O (chế độ truyền dẫn)

Tham số	Chế độ	Dải	Độ chính xác	Độ phân giải
l_OL	Truyền dẫn	0 μA đến 1200 μA	± 10 μA	20 ns
I ^a	Không kích hoạt	0 mA đến 1,2 mA	± 10 μA	20 ns
^a Điện áp đầu ra lớn nhất phải được giới hạn từ - 0,5 V đến 5,5 V.

4.7.2.10 Tạo dòng CLK

Bảng 25 - Dòng CLK

Tham số	Chế độ	Dải	Độ chính xác	Thời gian ổn định sau khi đạt đến mức
l_lH	kích hoạt	-30 μA đến 150 μA	± 10 μA
l_lL	kích hoạt	-150 μA đến 30 μA	± 10 μA
l^a	không kích hoạt	-1,2 mA đến 0 mA	± 10 μA
^a Điện áp đầu ra lớn nhất phải được giới hạn từ -0,5 V đến 5,5 V.

4.7.2.11 Đo điện áp CLK và định xung nhịp thời gian

Bảng 26 - Điện áp CLK và định xung nhịp thời gian

Đặc tính	Điều kiện hoạt động	Dải	Độ chính xác	Độ phân giải
U_lH, U_lL	Lớp A, B, C	-1 V đến 6 V	± 20 mV	20 ns

4.7.2.12 Đo dạng sóng CLK (phép đo chu kì đơn)

Bảng 27 - Dạng sóng CLK

Đặc tính	Dải	Độ chính xác
Chu kì nhiệm vụ ^a	35 % đến 65 % của giai đoạn	± 2,5 % của giai đoạn
Tần xuất^b	0,5 MHz đến 20,5 MHz	± 2,5 % của giai đoạn
t_R, t_F^c	1 % đến 10 % của giai đoạn	± 2,5 % của giai đoạn
Dụng cụthử nghiệmIFD phải có khả năng kiểm tra từng chu kì rõ ràng quá trình đo.
^a Chu kì nhiệm vụ phải được đo từ 50% đến 50% của V_H nhỏ nhất (100%) và V_L lớn nhất (0%) từ cạnh nhô lên đến cạnh nhô lên. ^b Tần xuất phải được đo từ 50% đến 50% của các cạnh dẫn của 2 chu kì đồng hồ liền kề của V_H nhỏ nhất (100%) và V_L lớn nhất (0%) từ cạnh nhô lên đến cạnh nhô lên. ^c t_Rvà t_F phải được đo giữa 10% và 90% của V_H (100%) nhỏ nhất và V_L (0%) lớn nhất.

4.7.2.13 Đo điện dung tiếp xúc giữa GND và I/O

Bảng 28 - Điện dung tiếp xúc

Đặc tính	Dải	Độ chính xác
C	0 pF đến 50 pF	± 5 pF

4.7.2.14 Mô phỏng giao thức I/O

Dụng cụthử nghiệmIFD phải có khả năng mô phỏng giao thức T=0 và T=1 và các ứng dụng thẻ được yêu cầu thực hiện kịch bản thử nghiệm.

CHÚ THÍCH Nếu một chức năng cụ thể không thực hiện trong thẻ, dụng cụthử nghiệmthẻ không yêu cầu phải có khả năng thử nghiệm tương ứng (ví dụ như giao thức T=1 không thực hiện trong thẻ).

4.7.2.15 Tạo định xung nhịp thời gian ký tự I/O trong chế độ truyền dẫn

Thử nghiệm dụng cụthử nghiệmIFD phải có khả năng tạo chuỗi dữ liệu bit I/O theo TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) liên quan đến tần số CLK.

Tất cả tham số định xung nhịp thời gian như là độ dài bit bắt đầu, thời gian bảo vệ và tín hiệu tín hiệu báo lỗi v.v... phải có cấu hình.

Bảng 29 - Định xung nhịp thời gian tham số

Ký hiệu	Tham số	Độ chính xác
ε_t	tất cả tham số định xung nhịp thời gian	± 4 Chu kỳ CLK

4.7.2.16 Đo và giám sát giao thức I/O

Dụng cụthử nghiệmthẻ phải có khả năng đo và giám sát định xung nhịp thời gian các trạng thái thấp và cao theo lô-gic của đườngl/O liên quan đến tần số CLK.

Bảng 30 - Đặc tính định xung nhịp thời gian

Đặc tính	Độ chính xác
tất cả đặc tính định xung nhịp thời gian	± 2 Chu kỳ CLK

4.7.2.17 Phân tích giao thức

Dụng cụthử nghiệmthẻ phải có khả năng phân tích dòng bitl/O theo giao thức T=0 và T=1 phù hợp với TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) và trích xuất luồng dữ liệu lô-gic để kiểm tra giao thức và ứng dụng chi tiết hơn.

4.7.2.18 Trởkháng tổng thể (các nguồn dòng và điện áp thụ động)

Bảng 31 - Trở kháng

Tiếp xúc	Điện trở	Độ chính xác	Khả năng	Độ chính xác
VCC	10 kΩ	± 1 kΩ	30 pF	±6 pF
I/O	50 kΩ	±5kΩ	30 pF	± 6 pF
RST	50 kΩ	±5kΩ	30 pF	±6 pF
CLK	50 kΩ	±5kΩ	30 pF	±6 pF

4.7.3 Kịch bản thử nghiệm

Thử nghiệm của DUT như xác định trong các Điều 6, 7, 8 và 9 yêu cầu một kịch bản thử nghiệm được thực thi. Kịch bản thử nghiệm này là một ‘truyền thông ứng dụng cụ thể và giao thức điển hình’, phụ thuộc vào giao thức và chức năng ứng dụng cụ thể dự kiến sử dụng thông thường và thực hiện trong DUT.

Kịch bản thử nghiệm phải được xác định bởi thực thể đang tiến hành các thử nghiệm này và phải được tài liệu hóa các kết quả thử nghiệm. Kịch bản thử nghiệm phải bao gồm một tập con đại diện hoặc tập con tốt hơn, nếu thực tế, các chức năng đầy đủ của DUT mong muốn sử dụng trong quá trình sử dụng thông thường. Thì kịch bản thử nghiệm phải có một khoảng thời gian ít nhất là 1s.

CHÚ THÍCH Các thực thể thử nghiệm có thể yêu cầu thông tin về giao thức đã thực hiện và chức năng cũng như hướng sử dụng của DUT để có thể thử nghiệm các thực thể để xác định một kịch bản thử nghiệm.

4.8 Mối quan hệ của phương pháp thử so với yêu cầu tiêu chuẩn cơ bản

Tất cả các định nghĩa điện áp tương đối (ví dụ như 0,7 x Ucc, 0,15 x Ucc hoặc Ucc + 0,3 V) phải được xác định so với GND (đất) và được kiểm tra so với giá trị Ucc đo được đồng thời.

Bảng 32 - Phương pháp thử đặc tính điện của thẻ có tiếp xúc

Phương pháp thử từ TCVN 11688-3 (ISO/IEC 10373-3)		Yêu cầu tương ứng
Điều	Tên	Tiêu chuẩn cơ bản	(Các) Điều
5.1	Tiếp xúc VCC	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	5.2.1
5.2	Tiếp xúc I/O	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	5.2.5
5.3	Tiếp xúc CLK	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	5.2.3
5.4	Tiếp xúc RST	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	5.2.2
5.5	Tiếp xúc SPU (C6)	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	5.2.4

Bảng 33 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của thẻ có tiếp xúc - Trả lời để khởi động lại

Phương pháp thử từ TCVN 11688-3 (ISO/IEC 10373-3)		Yêu cầu tương ứng
Điều	Tên	Tiêu chuẩn cơ bản	(Các) Điều
6.1.1	Khởi động lại lạnh và Trả lời để khởi động lại(ATR)	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	6.2.1,6.2.2, 7, 8
6.1.2	Khởi động lại nóng	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	6.2.3

Bảng 34- Phương pháp thử hoạt động lô-gic của thẻ có tiếp xúc - Giao thức T=0

Phương pháp thử từ TCVN 11688-3 (ISO/IEC 10373-3)		Yêu cầu tương ứng
Điều	Tên	Tiêu chuẩn cơ bản	(Các) Điều
6.2.1	Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O cho giao thức T=0	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	7.1, 7.2, 10.2
6.2.2	Lặp lại ký tự I/O cho giao thức T=0	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	7.3, 10.2
6.2.3	Định xung nhịp thời gian tiếp nhận I/O và tín hiệu tín hiệu báo lỗi cho giao thức T=0	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	7.1, 7.2, 7.3, 10.2

Bảng 35 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của thẻ có tiếp xúc - Giao thức T=1

Phương pháp thử từ TCVN 11688-3 (ISO/IEC 10373-3)		Yêu cầu tương ứng
Điều	Tên	Tiêu chuẩn cơ bản	(Các) Điều
6.3.1	Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O cho giao thức T=1	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	7.1, 7.2, 8.3, 11.2, 11.3, 11.4.2, 11.4.3
6.3.2	Định xung nhịp thời gian tiếp nhận I/O cho giao thức T=1	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	7.1, 7.2, 8.3, 11.2, 11.3, 11.4.2, 11.4.3
6.3.3	Cách hoạt động thời gian chờ ký tự (CWT)	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.4.3
6.3.4	Phản ứng - thẻ đến IFD vượt thời gian chờ ký tự (CWT)	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.4.3
6.3.5	Thời gian bảo vệ khối (BGT)	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.4.3
6.3.6	Sắp thứ tự khối bằng thẻ	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.6.3
6.3.7	Phản ứng của thẻ với các lỗi giao thức	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.6.3
6.3.8	Khôi phục một lỗi truyền dẫn bằng thẻ	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.6.3
6.3.9	Đồng bộ lại	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.6.3
6.3.10	Thỏa thuận IFSD	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.4.2
6.3.11	Bỏ qua khi lỗi bởi IFD	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.6.3

Bảng 36 - Phương pháp thử đặc tính vật lý và điện của IFD

Phương pháp thử từ TCVN 11688-3 (ISO/IEC 10373-3)		Yêu cầu tương ứng
Điều	Tên	Tiêu chuẩn cơ bản	(Các) Điều
7.1	Kích hoạt các tiếp xúc	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	6.1, 6.2.1, 6.2.2
7.2	Tiếp xúc VCC	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	5.2.1
7.3	Tiếp xúc I/O	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	5.2.5
7.4	Tiếp xúc CLK	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	5.2.3
7.5	Tiếp xúc RST	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	5.2.2
7.6	Tiếp xúc SPU (C6)	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	5.2.4
7.7	Vô hiệu hóa các tiếp xúc	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	6.4

Bảng 37 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của IFD - Trả lời để khởi động lại

Phương pháp thử từ TCVN 11688-3 (ISO/IEC 10373-3)		Yêu cầu tương ứng
Điều	Tên	Tiêu chuẩn cơ bản	(Các) Điều
8.1.1	Khởi động lại thẻ (Khởi động lại lạnh)	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	6.2.2
8.1.2	Khởi động lại thẻ (khởi động lại nóng)	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	6.2.3

Bảng 38 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của IFD - Giao thức T=0

Phương pháp thử từ TCVN 11688-3 (ISO/IEC 10373-3)		Yêu cầu tương ứng
Điều	Tên	Tiêu chuẩn cơ bản	(Các) Điều
8.2.1	Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O cho giao thức T=0	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	7.1, 7.2, 10.2
8.2.2	Lặp lại ký tự I/O cho giao thức T=0	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	7.3, 10.2
8.2.3	Định xung nhịp thời gian tiếp nhận I/O và tín hiệu báo lỗi cho giao thức T=0	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	7.1, 7.2, 7.3, 10.2

Bảng 39 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của IFD - Giao thức T=1

Phương pháp thử từ TCVN 11688-3 (ISO/IEC 10373-3)		Yêu cầu tương ứng
Điều	Tên	Tiêu chuẩn cơ bản	(Các) Điều
8.3.1	Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O cho giao thức T=1	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	7.1, 7.2, 8.3, 11.2, 11.3, 11.4.2, 11.4.3
8.3.2	Định xung nhịp thời gian tiếp nhận I/O cho giao thức T=1	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	7.1, 7.2, 8.3, 11.2, 11.3, 11.4.2, 11.4.3
8.3.3	IFD Cách hoạt động thời gian chờ ký tự (CWT)	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.4.3
8.3.4	Phản ứng-IFD đến thẻ vượt quá CWT	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.4.3
8.3.5	Thời gian bảo vệ khối (BGT)	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.4.3
8.3.6	Sắp thứ tự khối bởi IFD	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.6.3
8.3.7	Khôi phục một lỗi truyền dẫn bởi IFD	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.6.3
8.3.8	Thỏa thuận IFSC	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.4.2
8.3.9	Bỏ qua khi lỗi bởi thẻ	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)	11.6.3

5 Phương pháp thử đặc tính điện của thẻ có tiếp xúc

5.1 Tiếp xúc VCC

Mục đích của thử nghiệm này là đo dòng tiêu thụ bởi thẻ trên tiếp xúc VCC và kiểm tra nếu thẻ hoạt động trong dải Ucc cụ thể (xem 5.2.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

5.1.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

5.1.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Thiết lập tham số dưới đây trong dụng cụthử nghiệmthẻ (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất hỗ trợ bởi thẻ):

Bảng 40 - Tham số dụng cụ thử nghiệm-thẻ

Tham số	Thiết lập
Ucc	Ucc nhỏ nhất
f_CLK	f_CLK lớn nhất^a
^af_CLK lớn nhất theo TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3), 8.3

b) Khởi động lại thẻ.

c) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong khoảng thời gian truyền thông này, tín hiệu sau đây được theo dõi liên tục và xác định giá trị sau đây:

Bảng 41 - Tín hiệu theo dõi

Đặc tính	Giá trị
lcc	lcc lớn nhất

d) Thực hiện một việc dừng xung đồng hồ theo 6.3.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) nếu được hỗ trợ bởi thẻ. Trong khoảng thời gian dừng xung đồng hộ, tín hiệu và giá trị chỉ ra trong Bảng 41 phải được giám sát liên tục và xác định giá trị.

e) Khởi động lại f_CLK theo TCVN 5.3.4, 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

f) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này tín hiệu và giá trị chỉ ra trong Bảng 41 phải được giám sát liên tục và xác định giá trị.

g) Lặp lại bước b) đến f) với Ucc = Ucc lớn nhất.

h) Lặp lại thử nghiệm a) đến g) cho tất cả các lớp điện áp hỗ trợ bởi thẻ.

5.1.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo giá trị xác định theo qui trình và tất cả các thông tin đã phù hợp với TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) chưa.

5.2 Tiếp xúc I/O

Mục đích của thử nghiệm này là đo điện dung tiếp xúc của tiếp xúc I/O, các điện áp I/O đầu ra (U_OH , U_OL) dưới các điều kiện hoạt động thông thường (I_OL lớn nhất/nhỏ nhất và I_OH lớn nhất/nhỏ nhất), I/O t_R và t_F trong chế độ truyền dẫn của thẻ và dòng I/O đầu vào (I_IL) trong chế độ tiếp nhận của thẻ.

5.2.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

5.2.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Đo điện dung CIO của l/Otiếp xúc.

b) Thiết lập tham số dưới đây trong dụng cụthử nghiệmthẻ (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất hỗ trợ bởi thẻ):

Bảng 42 - Tham số dụng cụ thử nghiệmthẻ

Tham số	Thiết lập
Ucc	Ucc lớn nhất
U_lH	U_I_H nhỏ nhất
U_lL	U_I_L nhỏ nhất
l_OH	^a
l_OL	I_OL lớn nhất
t_R	t_R lớn nhất
t_F	t_Flớn nhất
^aPhải sử dụng thay một nguồn dòng đối với I_OH, một điện trở 20 kΩ tới VCC hoặc mộtmạch tương đương để ngăn vượt quá điện áp làm hỏng thẻ.

c) Khởi động lại thẻ.

d) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này đặc tính sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị sau đây được xác định:

Bảng 43 - Xác định giá trị

Đặc tính	Giá trị
l_lH	I_IH lớn nhất
l_lL	I_IL lớn nhất
U_OH	U_OH nhỏ nhất, U_OH lớn nhất
U_OL	U_OL nhỏ nhất, U_OL lớn nhất
t_R	t_R lớn nhất
t_F	t_F lớn nhất

e) Ngắt mạch thẻ.

f) Thiết lập dụng cụ thử nghiệmthẻ với tham số chỉ ra trong Bảng 42.

g) Khởi động lại thẻ.

h) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này đặc tính và giá trị chỉ ra trong Bảng 43 phải được giám sát liên tục và xác định giá trị.

i) Ngắt mạch thẻ.

j) Lặp lại bước b) đến i) cho tất cả các lớp điện áp được hỗ trợ.

5.2.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo điện dung của l/Otiếp xúc, giá trị xác định theo qui trình và tất cả truyền thông phù hợp với TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

5.3 Tiếp xúc CLK

Mục đích của thử nghiệm này là đo dòng tiêu thụ bởi thẻ trên tiếp xúc CLK và kiểmtra xem thẻ thực hiện với các tần số và dạng sóng đồng đồ cụ thể (xem 5.2.3, 8.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

5.3.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

5.3.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Đo điện dung C_CLK của tiếp xúc CLK.

b) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụthử nghiệmthẻ (bắt đầu với lớp điện áp được hỗ trợ bởi thẻ):

Bảng 44 - Tham số dụng cụ thử nghiệm-thẻ

Tín hiệu	Thiết lập
Ucc	Ucc lớn nhất
U_lH	U_I_H nhỏ nhất
U_lL	U_I_L nhỏ nhất
f_CLK	f_CLK nhỏ nhất
Chu kì nhiệm vụ	40 % cao

c) Khởi động lại thẻ.

d) Thiết lập f_CLK đến f_CLK lớn nhất theo TCVN 5.2.3, 8.3, 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

e) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này đặc tính sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị sau đây được xác định:

Bảng 45 - Giá trị được xác định

Đặc tính	Giá trị
l_lH	I_IH lớn nhất
l_lL	I_IL lớn nhất

f) Ngắt mạch thẻ.

g) Thiết lập dụng cụthử nghiệmthẻ với tham số chỉ ra trong Bảng 44.

h) Khởi động lại thẻ.

i) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này đặc tính và giá trị chỉ ra trong Bảng 45 phải được giám sát liên tục và xác định giá trị.

j) Ngắt mạch thẻ.

k) Lặp lại bước b) đến j) cho tất cả các lớp điện áp được hỗ trợ.

5.3.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo điện dung của tiếp xúc CLK, giá trị giá trị xác định theo qui trình và tất cả truyền thông phù hợp với TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

5.4 Tiếp xúc RST

Mục đích của thử nghiệm này là đo dòng tiêu thụ bằng thẻ trên tiếp xúc RST và kiểm tra thẻ có thực hiện với giá trị định xung nhịp thời gian cho phép nhỏ nhất và lớn nhất không và các điện áp của một tín hiệu RST (xem TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3), 5.2.2).

5.4.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

5.4.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Đo điện dung CRST của tiếp xúcRST.

b) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụthử nghiệmthẻ (bắt đầu với lớp điện áp được hỗ trợ bởi thẻ):

Bảng 46 - Tham số dụng cụ thử nghiệm-thẻ

Tham số	Thiết lập
Ucc	Ucc lớn nhất
U_lH	U_I_H nhỏ nhất
U_lL	U_I_L nhỏ nhất
f_CLK	f_CLK nhỏ nhất

c) Khởi động lại thẻ.

d) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này tín hiệu sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị sau được xác định:

e) Ngắt mạch thẻ.

f) Thiết lập dụng cụthử nghiệmthẻ với tham số chỉ ra trong Bảng 46.

g) Khởi động lại thẻ.

h) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này đặc tính và giá trị chỉ ra trong Bảng 47 phải được giám sát liên tục và xác định giá trị.

i) Ngắt mạch thẻ.

j) Lặp lại bước b) đến i) cho tất cả các lớp điện áp được hỗ trợ.

5.4.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu điện dung của tiếp xúc RST, xác định theo qui trình và tất cả truyền thông phù hợp với TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

5.5 Tiếp xúc SPU (C6)

Không có thử nghiệm chuẩn để áp dụng đối với tiếp xúc SPU (C6). Nếu trường tiếp xúc này sử dụng trong ứng dụng tiềm tàng, các thử nghiệm ứng dụng cụ thể nên được áp dụng.

Bảng 47 - Giá trị được xác định

Đặc tính	Giá trị
I_IH	I_IHlớn nhất
l_IL	l_IL lớn nhất

6 Phương pháp thử hoạt động lô-gic của thẻ có tiếp xúc

6.1 Trả lời để khởi động lại

6.1.1 Khởi động lại lạnh và Trả lờiđểKhởi động lại (ATR)

Mục đích của thử nghiệm này là xác định cách hoạt động của thẻ trong khoảng thời gian qui trình khởi động lại lạnh theo TCVN 6.2.2, 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

6.1.1.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.1.1.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

Trong qui trình sau đây các tiếp xúc VCC, RST, CLK và I/O phải được kiểm soát liên tục và tất cả các chuyển tiếp tín hiệu (mức và định xung nhịp thời gian) cũng như nội dung lô-gic của truyền thông phải được ghi lại.

a) Kích hoạt thẻ theo 6.2.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

b) Thiết lập RST ở trạng thái các chu kỳxung đồng hồ H 400 sau khi CLK được kích hoạt.

c) Nếu thẻ phản ứng với việc gửi một ATR, thì báo hiệu một lỗi truyền dẫn theo 7.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) cho ít nhất một ký tự (được lựa chọn ngẫu nhiên) của ATR.

d) Thực hiện kịch bản thử nghiệm với thẻ.

e) Vô hiệu hóa thẻ.

6.1.1.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi tín hiệu và ATR.

6.1.2 Khởi động lại nóng

Mục đích của thử nghiệm này là xác định cách hoạt động của thẻ trong khi khởi động lại nóng qui trình theo 6.2.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

6.1.2.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.1.2.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Kích hoạt và khởi động lại thẻ theo 6.2.1 và 6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

b) Thực hiện kịch bản thử nghiệm với thẻ.

c) Tạo một khởi động lại nóng với thời hạn 400 chu kìđồng hồ theo 6.2.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

d) Nếu thẻ phản ứng với việc gửi một ATR, tín hiệu một lỗi truyền dẫn theo 7.3.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) cho ít nhất một ký tự (được lựa chọn ngẫu nhiên) của ATR.

e) Thực hiện kịch bản thử nghiệm với thẻ.

f) Ngắt mạch thẻ.

6.1.2.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi tín hiệu và ATR.

6.2 Giao thức T=0

Các thử nghiệm tiếp theo sau có thể được áp dụng nếu chỉ thẻ hỗ trợ giao thức T=0.

CHÚ THÍCH ε_t được xác định trong Bảng 14 - định xung nhịp thời gian ký tự I/O (chế độ tiếp nhận).

6.2.1 Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O đối với giao thức T=0

Mục đích của thử nghiệm này xác định định xung nhịp thời gian của dữ liệu được truyền bởi thẻ (xem 7.1, 7.2, 10.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.2.1.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.2.1.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Thực hiện kịch bản thử nghiệm với thẻ với tham số định xung nhịp thời gianbit danh định (xem10.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

b) Lặp lại a) với từng hệ sốetu được cung cấp

c) Lặp lại a) và b) cho tất cả các ứng dụng được cung cấp.

6.2.1.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

6.2.2 Lặp lại ký tự I/O đối với giao thức T=0

Mục đích của thử nghiệm này là xác định cách sử dụng và định xung nhịp thời gian của việc sao chépký tự bằng thẻ (xem 7.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.2.2.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.2.2.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Thực hiện kịch bản thử nghiệm với thẻ có tham số định xung nhịp thời gianbit danh nghĩa (xem 10.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

b) Trong qui trình sau đây các tiếp xúc VCC, RST, CLK và I/O phải được kiểm soát liên tục và tất cả các chuyển tiếp tín hiệu (mức và định xung nhịp thời gian) cũng như nội dung lô-gic của truyền thông phải được ghi lại.

c) Trên mỗi byte được gửi bởi thẻ tạo 5 điều kiện lỗi liên tiếp theo 7.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816- 3), với khoảng thời gian nhỏ nhất (1 etu + ε_t) và thời gian nhỏ nhất giữa cạnh dẫn của bit bắt đầu và cạnh dẫn của tín hiệu báo lỗi ((10,5 - 0,2) etu + ε_t).

d) Trên mỗi byte được gửi bởi thẻ tạo 5 điều kiện lỗi liên tiếp theo 7.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816- 3), với khoảng thời gian lớn nhất (2 etu - ε_t) và thời gian lớn nhất giữa cạnh dẫn của bit bắt đầu và cạnh dẫn của tín hiệu báo lỗi ((10,5 + 0,2) etu - ε_t).

e) Lặp lại c) đến d) cho tất cả các ATR được cung cấp (xem lựa chọn lớp trong 6.2.4, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.2.2.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

6.2.3 Định xung nhịp thời gian tiếp nhận I/O và tín hiệu báo lỗi đối với giao thức T=0

Mục đích của thử nghiệm này là xác định việc định xung nhịp thời gian tiếp nhận và tín hiệu báo lỗi của thẻ (xem 7.1, 7.2, 7 3, 10.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.2.3.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.2.3.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Thiết lập tham sốđịnh xung nhịp thời gianbit sau tại dụng cụthử nghiệmthẻ:

Bảng 48- Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm thẻ

Tham số	Giá trị	Xem
Độ dài khung ký tự	lớn nhất (t_n = (n + 0,2) etu -ε_t)	Điều 7, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
Trễ giữa 2 ký tự liên tiếp	9600 etu	Chú ý: Không có giá trị lớn nhất xác định cho thẻ trong TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)

b) Thực hiện kịch bản thử nghiệm với thẻ.

c) Tạo năm lỗi chẵn lẻ liên tiếp cho một byte đơn sau một byte đơn hợp lệ được truyền đi, theo sau bởi năm lỗi chẵn lẻ liên tiếp cho byte đơn tiếp theo trong việc truyền tải.

d) Lặp lại a) đến b) với từng hệ sốetu được cung cấp.

e) Thiết lập tham sốđịnh xung nhịp thời gianbit sau tại dụng cụthử nghiệmthẻ:

Bảng 49 - Dụng cụ thử nghiệm thẻ dụng cụ định xung nhịp thời gian bit

Tham số	Giá trị	Xem
Độ dài khung ký tự	Nhỏ nhất (t_n = (n - 0,2) etu +ε_t )	Điều 7, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
Trễ giữa 2 ký tự liên tiếp	12 etu + R x N/f + ε_t	Điều 7, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)

f) Lặp lại b) đến d).

g) Lặp lại a) đến f) cho tất cả các ứng dụng được cung cấp.

6.2.3.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

6.3 Giao thức T=1

Phương pháp thử tiếp theo có thể được áp dụng nếu chỉ thẻ hỗ trợ giao thức T=1.

Nếu một lỗi truyền bất ngờ xảy ra trong khi thử nghiệm, bất kỳ qui trình phụ hồi phải được thực hiện theo 11.6.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

CHÚ THÍCH Một số trong các mô tả sau này của phương pháp thử có chứa các kịch bản để nhỏ nhấthọa các qui trình được mô tả. Một vài kịch bản này dựa trên giả định rằng thẻ chứa một tệp rõ ràng với một chiều dài 36 byte và có nội dung '31 32 33 34 ... 54 ' và hiểu I (0,0) (INF = '00 B0 00 00 02') như 2 byte READ BINARY (đọc nhị phân).

6.3.1 Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O đối với giao thức T=1

Mục đích của thử nghiệm này là xác định định xung nhịp thời gian của dữ liệu được truyền đi bằng thẻ (xem 7.1,7.2, 8.3, 11.2, 11.3, 11.4.2, 11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.3.1.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.1.2 Qui trình

Các chuyển tiếp tín hiệu (mức và định xung nhịp thời gian) cũng như nội dung lô-gic của truyền thông phải được ghi lại:

a) Thực hiện một T=1 điển hình và truyền thông cụ thể ứng dụng với thẻ trong ít nhất 1s với tham số bit danh nghĩa định xung nhịp thời gian (xem 11.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)) và sự trễ nhỏ nhất giữa 2 ký tự liên tiếp xác định bởi N (xem 8.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)) trong ATR.

b) Lặp lại a) với từng hệ sốetu được cung cấp.

c) Lặp lại a) đến b) cho từng ứng dụng được cung cấp.

6.3.1.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

6.3.2 Định xung nhịp thời gian tiếp nhận I/O đối với giao thức T=1

Mục đích của thử nghiệm này là xác định việc định xung nhịp thời gian tiếp nhận của thẻ sử dụng giao thứcT=1 (xem 7.1,7.2, 8.3, 11.2, 11.3, 11.4.2, 11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.3.2.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.2.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Thiết lập tham sốđịnh xung nhịp thời gianbit sau tại dụng cụthử nghiệmthẻ:

Bảng 50 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm thẻ

Tham số	Giá trị	Xem
Độ dài khung ký tự	Lớn nhất (t_n = (n + 0,2) etu - ε_t)	Điều 7, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
Thời gian bảo vệ	Lớn nhất	Điều 7, 11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
Trễ giữa 2 ký tự liên tiếp	(11 +2^CWI) etu - ε_t	11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)

b) Thực hiện một T=1 điển hình và ứng dụng quy định truyền thông với thẻ ít nhất trong 1s.

c) Lặp lại a) đến b) với từng hệ số-etu được cung cấp.

d) Thiết lập tham số định xung nhịp thời gianbit sau tại dụng cụthử nghiệmthẻ:

Bảng 51 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm thẻ

Tham số	Giá trị	Xem
Độ dài khung ký tự	Nhỏ nhất (t_n = (n - 0,2) etu + ε_t)	Điều 7, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
Thời gian bảo vệ	Nhỏ nhất	Điều 7, 11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
Trễ giữa 2 ký tự liên tiếp	12 etu + R x N/f + ε_t	8.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)

e) Thực hiện một T=1 điển hình và ứng dụng quy định truyền thông với thẻ ít nhất trong 1s.

f) Lặp lại d) đến e) với từng hệ sốetu được cung cấp.

6.3.2.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

6.3.3 Cách hoạt động thời gian chờ ký tự (CWT)

Mục đích của thử nghiệm này là xác định phản ứng của thẻ liên quan đến CWT (xem TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3), Điều 7, 11.4.3).

CHÚ THÍCH Ký hiệu sử dụng trong mô tả của qui trình sau đây được xác định trong TCVN 11167-4:2016 (ISO/IEC 7816-4:2005).

6.3.3.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.3.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Được đặt trong một tệp rõ ràng được tạo bởi ít nhất 2 byte.

b) Gửi một khối n byte đến thẻ với CWT được công bố trong ATR.

c) Ghi lại sự có mặt, nội dung và định xung nhịp thời gian của đáp ứng thẻ.

Kịch bản 1 - Cách hoạt động thời gian chờ ký tự (CWT)

6.3.3.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo sự có mặt, nội dung và định xung nhịp thời gian của đáp ứng thẻ.

6.3.4 Phản ứngthẻ tới IFD vượt quá thời gian chờ ký tự (CWT)

Mục đích của thử nghiệm này là xác định phản ứng của thẻ trên IFD vượt quá CWT (xem 5.2.5, Điều 7, 11.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.3.4.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.4.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Gửi ít hơn n byte của một khối n byte đến thẻ.

b) Ghi lại sự có mặt, nội dung và định xung nhịp thời gian của đáp ứng thẻ.

CHÚ THÍCH Phản ứng của thẻ về các va chạm có thể là kết quả của việc bị gián đoạn cần được điều tra.

6.3.4.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo sự có mặt, nội dung và định xung nhịp thời gian của đáp ứng thẻ.

6.3.5 Thời gian bảo vệ khối (BGT)

Mục đích của thử nghiệm này là đo thời gian giữa các cạnh dẫn của 2 ký tự liên tiếp (BGT) gửi theo các hướng ngược nhau (xem 11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.3.5.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.5.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

6.3.5.2.1 Qui trình 1

a) Được đặt trong một tệp rõ ràng được tạo bởi ít nhất 2 byte.

b) Xây dựng một khối-l chính xác

c) Gửi khối-l đến thẻ.

d) Thẻ nên đáp ứng với một khối-l chính xác theo Nguyên tắc 1.

Kịch bản 2 - Thời gian bảo vệ khối (BGT), Qui trình 1

e) Ghi lại bắt đầu định xung nhịp thời gian với bit bắt đầu của ký tự cuối cùng từ dụng cụ thử nghiệmthẻ cho đến bit bắt đầu của ký tự đầu tiên của đáp ứng thẻ.

6.3.5.2.2 Qui trình 2

a) Được đặt trong một tệp rõ ràng được tạo bởi ít nhất 2 byte.

b) Xây dựng một khối-l với một EDC sai (ký tự phát hiện lỗi).

c) Gửi khối-l đến thẻ.

d) Thẻ phải gửi chính xác một khối R báo chưa nhận (NAK) chỉ ra một lỗi EDC trong byte kiểm soát giao thức (PCB) theo Nguyên tắc 7.1:

Kịch bản 3 - Thời gian bảo vệ khối (BGT), Qui trình 2

e) Ghi bắt đầu định xung nhịp thời gian với bít bắt đầu của ký tự cuối cùng của dụng cụthử nghiệmthẻ cho đến bít bắt đầu của ký tự đầu tiên của đáp ứng thẻ (xem 11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.3.5.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo việc định xung nhịp thời gian được ghi lại.

6.3.6 Xếp thứ tự khối bởi thẻ

Mục đích của thử nghiệm này là xác định phản ứng của thẻ đối với một lỗi truyền dẫn (xem 11.6.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

Khối bị lỗi: khối bị truyền lỗi, ví dụ như một hay nhiều ký tự mắc sai lỗi về bit chẵn lẻ, hoặc một lỗi trong phần kết thúc.

6.3.6.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.6.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụ thử nghiệmthẻ.

6.3.6.2.1 Qui trình 1

a) Khởi động lại thẻ.

b) Gửi khối có sai lỗi đến thẻ.

c) Nếu thẻ không bắt đầu gửi một khối trong BWT hoặc gửi R (0) sau đó gửi các khối chính xác một lần nữa.

Kịch bản 4 - Xếp thứ tự khối bởi thẻ, Qui trình 1

d) Ghi lại đáp ứng của thẻ.

6.3.6.2.2 Qui trình 2

a) Khởi động lại thẻ.

b) Gửi khối l(0,0) đến thẻ, với trường INF chứa một lệnh hỗ trợ bởi thẻ.

c) Đợi trả lời của thẻ và gửi khối có sai lỗi đến thẻ.

d) Nếu thẻ không bắt đầu gửi một khối trong BWT hoặc gửi R(1) với bit b1 của PCB đặt là 1 sau đó gửi khối bị lỗi lặp lại 3 lần.

Kịch bản 5 - Xếp thứ tự khối bởi thẻ, Qui trình 2

e) Ghi lại đáp ứng của thẻ bao gồm có hay không việc thẻ ở trạng thái câm lặng sau khi nhận khối cuốicùng.

6.3.6.2.3 Qui trình 3 (với liên kết chuỗi)

a) Khởi động lại thẻ.

b) Gửi khối 1(0,1) đến thẻ, với trường INF chứa một lệnh cần móc chuỗi hỗ trợ bởi thẻ.

c) Đợi trả lời của thẻ và gửi khối có sai lỗi đến thẻ.

d) Nếu thẻ không bắt đầu gửi một khối trong BWT hoặc gửi R(1) với bit b1 của PCB đặt là 1 sau đó gửi lại khối bị lỗi.

Kịch bản 6 - Xếp thứ tự khối bởi thẻ, Quy trình 3 (với liên kết chuỗi)

e) Ghi lại phản ứng của thẻ.

6.3.6.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo phản ứng của thẻ đối với từng qui trình.

6.3.7 Đáp ứng của thẻ đối với lỗi giao thức

Mục đích của thử nghiệm này là phân tích phản ứng của thẻ đối với một lỗi giao thức (xem 11.6.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

Khối hỏng: Khối không hợp lệ với mã hóa PCB chưa biết, hoặc mã hóa PCB đã biết với sai lỗi N(S), N(R) hoặc M, hoặc PCB không phù hợp với khối dự kiến.

6.3.7.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.7.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Khởi động lại thẻ.

b) Gửi một khối bị lỗi đến thẻ.

c) Nếu thẻ không bắt đầu gửi một khối trong BWT hoặc gửi R(0) với bit b2 của PCB đặt là 1 sau đó gửi khối chính xác. Nếu thẻ ở trạng thái câm lặng thử nghiệm kết thúc tại điểm này.

Kịch bản 7 - Đáp ứng của thẻ đối với các lỗi giao thức

Thử nghiệm này có thể được lặp lại với các kiểu PCB bị sai lỗi khác nhau.

6.3.7.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo phản ứng của thẻ.

6.3.8 Khôi phục lỗi truyền dẫn bởi thẻ

Mục đích của thử nghiệm này là phân tích phản ứng của thẻ đối với một báo chưa nhận (NAK) (xem 11.6.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

Báo chưa nhận (NAK): Khối R với N(R) ra khỏi chuỗi.

6.3.8.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.8.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Khởi động lại thẻ.

b) Gửi khối 1(0,0) đến thẻ, với trường INF chứamột lệnh hỗ trợ bởi thẻ (Đọc nhị phân của 2 byte không có khoảng bù) và đợi trả lời chứa trong khối 1(0,0) hoặc 1(1,0).

c) Gửi R(0) hoặc R(1) đến thẻ. Nhận đáp ứng của thẻ.

d) Thẻ phải lặp lại khốil.

Kịch bản 8 - Khôi phục một lỗi truyền dẫn bởi thẻ

6.3.8.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo phản ứng của thẻ.

6.3.9 Đồng bộ lại

Mục đích của thử nghiệm này là kiểm tra cách hoạt động của thẻ sau đồng bộ hóa lại (xem 11.6.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.3.9.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.9.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Khởi động lại thẻ.

b) Trao đổi 2 khối-l theo từng hướng với một lệnh được hỗ trợ bởi thẻ.

c) Gửi 2 khối báo chưa nhận (NAK) và sau đó một khối S(RESYNCH yêu cầu) đến thẻ.

d) Ghi lại đáp ứng của thẻ.

e) Nếu thẻ gửi S(RESYNCH đáp ứng), gửi khối l(0,0).

f) Ghi lại đáp ứng của thẻ.

Kịch bản 9 - Đồng bộ lại

6.3.9.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo phản ứng của thẻ.

6.3.10 Thỏa thuận IFSD

Mục đích của thử nghiệm này là kiểm tra thỏa thuận IFSD (xem 11.4.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816- 3)).

6.3.10.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.10.2 Qui trình

Nối thẻ với dụng cụthử nghiệmthẻ.

a) Khởi động lại thẻ.

b) Trao đổi 1 khối-l theo từng hướng với một lệnh được hỗ trợ bởi thẻ.

c) Gửi khối S(IFS yêu cầu) đến thẻ.

Kịch bản 10 - Thỏa thuận IFSD

d) Ghi lại đáp ứng của thẻ.

6.3.10.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo đáp ứng của thẻ.

6.3.11 Bỏ qua khi lỗi bởi IFD

Mục đích của thử nghiệm này là kiểm tra cách hoạt động bỏ qua khi lỗi móc chuỗi của thẻ (xem 11.6.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

6.3.11.1 Dụng cụ

Xem 4.7.1

6.3.11.2 Qui trình

a) Khởi động lại thẻ.

b) Trao đổi 1 khối-l theo từng hướng với một lệnh được hỗ trợ bởi thẻ.

c) Gửi khối 1(1,1) đến thẻ, với trường INF chứa một lệnh cần móc chuỗi được hỗ trợ bởi thẻ.

d) Đợi trả lời của thẻ và gửi S(yêu cầu ABORT).

Kịch bản 11 - Bỏ qua khi lỗi bởi IFD

e) Ghi lại sự có mặt, nội dung của một đáp ứng của thẻ.

6.3.11.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo sự có mặt và nội dung của một đáp ứng của thẻ.

7 Phương pháp thử đặc tính vật lý và điện của IFD

7.1 Kích hoạt các tiếp xúc

Mục đích của thử nghiệm này là xác định chuỗi kích hoạt các tiếp xúc trong khi kích hoạt pha kích hoạt thẻ (xem 6.1, 6.2.1, 6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

7.1.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

7.1.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụthử nghiệmIFD.

a) Đo mức và định xung nhịp thời gian của tín hiệu trên các tiếp xúc IFD ít nhất trong1s.

b) Kích hoạt IFD.

c) Đo mức và định xung nhịp thời gian của tín hiệu trên các tiếp xúc IFD ít nhất trong1s.

Các hoạt động cần thiết để ‘Kích hoạt IFD’ phụ thuộc nhiều vào việc kiến tạo IFD. Chúng phải bao gồm tất cả các hoạt động cần thiết cho đến khi IFD cung cấp qui trình ‘Khởi động lại lạnh của thẻ’ như định nghĩa trong 6.2.1 TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

7.1.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các mức ghi được và định xung nhịp thời gian của tín hiệu trên tất cả các tiếp xúc IFD.

Phải sử dụng giá trị 20 ns như trễ nhỏ nhất giữa hai chuyển tiếp tín hiệu tiếp sau trong khi kích hoạt các tiếp xúc cho đến khi một giá trị phân biệt được xác định trong TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

7.2 Tiếp xúc VCC

Mục đích của thử nghiệm này là đo điện áp được cung cấp bởi IFD trên tiếp xúc VCC (xem 5.2.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

7.2.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

7.2.2 Qui trình

Kết nối IFD đến dụng cụthử nghiệm-IFD.

a) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụthử nghiệm IFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi IFD):

Bảng 52 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Tham số	Thiết lập
lcc	lcc nhỏ nhất

b) Kích hoạt IFD.

c) IFD khởi động lại dụng cụthử nghiệmIFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

d) Tạo một ATR với tham số sau đây:

Bảng 53 - Tham số ATR

Tham số	Thiết lập	Xem
Fi	Giá trị có sẵn thấp nhất	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3), 8.3
X	‘11’	TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3), 8.3

e) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

f) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụthử nghiệmIFD. Trong toàn bộ truyền thông tạo các đỉnh nhọn dòng điện ngẫu nhiên từ 1 kHz đến 100 kHz trong dải xác định theo 5.2.1, TCVN 11167- 3 (ISO/IEC 7816-3). Trong truyền thông này, tín hiệu sau phải được giám sát liên tục và các giá trị sau được xác định:

Bảng 54 - Giá trị được xác định

Đặc tính	Giá trị
Ucc	Ucc nhỏ nhất, Ucc lớn nhất

g) Nếu IFD tạo một dừng xung đồng hồ (xem 6.3.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)), thiết lập tham số lcc tại dụng cụthử nghiệmIFD đến lcc lớn nhất về thời gian của dừng xung đồng hồ. Trong quá trình dừng xung đồng hồ, tín hiệu phải được kiểm soát liên tục và giá trị chỉ ra trong Bảng 54 được xác định.

h) Vô hiệu hóa IFD.

i) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụthử nghiệmIFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi IFD):

Bảng 55 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Tham số	Thiết lập
lcc	lcc lớn nhất

j) Kích hoạt IFD.

k) IFD khởi động lại dụng cụ thử nghiệmIFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

l) Tạo một ATR tham số sau đây:

Bảng 56 - Tham số ATR

Tham số	Thiết lập	Xem
Fi	Giá trị có sẵn cao nhất	8.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
X	‘11’	8.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)

m) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

n) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụthử nghiệmIFD. Trong toàn bộ truyền thông tạo những đỉnh nhọn dòng điện ngẫu nhiên từ 1 kHz đến 100 kHz trong dải xác định theo 5.2.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)

Trong truyền thông này tín hiệu sau phải được giám sát liên tục và giá trị chỉ ra trong Bảng 54 được xác định.

o) Nếu IFD tạo một dừng xung đồng hồ (xem 6.3.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)), thiết lập tham số lcc tại dụng cụthử nghiệm IFD đến lcc lớn nhất về thời gian của dừng xung đồng hồ. Trong quá trình dừng xung đồng hồ tín hiệu phải được kiểm soát liên tục và giá trị chỉ ra trong Bảng 54 được xác định.

p) Vô hiệu hóa IFD.

q) Lặp lại bước a) đến p) cho tất cả các lớp điện áp được hỗ trợ bởi IFD.

7.2.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo xác định giá trị Ucc nhỏ nhất, Ucc lớn nhất cho tất cả các kịch bản trên cùng với các điều kiện đo lường (lcc và Fi).

7.3 Tiếp xúc I/O

Mục đích của thử nghiệm này là đo điện dung tiếp xúc của tiếp xúc I/O, các điện áp I/O đầu ra (U_OH, U_OL) dưới các điều kiện hoạt động thông thường (I_OLlớn nhất/nhỏ nhất và I_OH lớn nhất/nhỏ nhất), I/O t_R và t_F rõ ràng chế độ truyền dẫn của IFD và dòng I/O đầu ra (I_IL) rõ ràng trong chế độ tiếp nhận của IFD.

7.3.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

7.3.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụthử nghiệmIFD.

a) Đo điện dung CIO của l/O-tiếp xúc.

b) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụthử nghiệmIFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi IFD):

Bảng 57 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Tham số	Thiết lập
lcc	lcc lớn nhất
l_lH	l_lHlớn nhất
I_I_L	I_I_L lớn nhất
U_OH	U_OH nhỏ nhất
U_OL	U_OL lớn nhất
t_R	t_R nhỏ nhất
t_F	t_F nhỏ nhất

c) Kích hoạt IFD.

d) IFD khởi động lại dụng cụthử nghiệmIFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

e) Tạo một ATR.

f) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụthử nghiệmIFD. Trong truyền thông này đặc tính sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị sau đây được xác định:

Bảng 58 - Giá trị được xác định

Đặc tính	Giá trị
U_lH	U_lH nhỏ nhất,U_lHlớn nhất
U_lL	U_lL nhỏ nhất,U_lLlớn nhất
I_OH	I_OH lớn nhất
l_OL	l_OLlớn nhất
t_R	t_R lớn nhất
t_F	t_F lớn nhất

g) Vô hiệu hóa IFD.

h) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụthử nghiệmIFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi IFD) như chỉ ra trong Bảng 59:

Bảng 59 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Tham số	Thiết lập
lcc	lcc lớn nhất
l_lH	l_lH nhỏ nhất
l_lL	l_lL nhỏ nhất
U_O_H	U_O_H nhỏ nhất
U_OL	U_OL nhỏ nhất
t_R	t_R lớn nhất
t_F	t_F lớn nhất

i) Khởi động lại thẻ.

j) Thực hiện kịch bản thử nghiệm. Trong truyền thông này cácđặc tính sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị chỉ ra trong Bảng 58 được xác định.

k) Vô hiệu hóa IFD.

l) Lặp lại bước b) đến k) cho tất cả các lớp điện áp được hỗ trợ.

7.3.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu dung lượng của l/O tiếp xúc, giá trị xác định theo qui trình và tất cả các truyền thông phải phù hợp với TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

7.4 Tiếp xúc CLK

Mục đích của thử nghiệm này là xác định đặc tính của tín hiệu CLK (xem 5.2.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

7.4.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

7.4.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụthử nghiệmIFD.

a) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụthử nghiệmIFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi IFD).

Bảng 60 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Tham số	Thiết lập
lcc	lcc lớn nhất
l_lH	l_lH lớn nhất
l_lL	l_lLlớn nhất

b) Kích hoạt IFD.

c) IFD khởi động lại dụng cụthử nghiệm-IFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

d) Tạo một ATR tham số sau đây:

Bảng 61 - Tham số ATR

Tham số	Thiết lập	Xem
Fi	Fi lớn nhất	8.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
Di	Di nhỏ nhất	8.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)

e) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

f) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụ thử nghiệmIFD. Trong truyền thông này đặc tính sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị sau đây được xác định:

Bảng 62 - Giá trị được xác định

Đặc tính (CLK)	Giá trị
U_lH	U_lH nhỏ nhất, U_lH lớn nhất
U_lL	U_lLnhỏ nhất, U_lL lớn nhất
t_R	t_R lớn nhất
t_F	t_F lớn nhất
Chu kì nhiệm vụ	nhỏ nhất, lớn nhất

g) Vô hiệu hóa IFD.

h) Thiết lập tham số in Dụng cụthử nghiệmIFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi IFD) như chỉ ra trong Bảng 63.

Bảng 63 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Tham số	Thiết lập
lcc	lcc lớn nhất
l_lH	l_lH nhỏ nhất
l_lL	l_lL nhỏ nhất

i) Kích hoạt IFD.

j) IFD khởi động lại dụng cụthử nghiệmIFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

k) Tạo một ATR với tham số chỉ ra trong Bảng 61.

l) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

m) IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụthử nghiệmIFD. Trong truyền thông này đặc tính sau đây phải được giám sát liên tục và giá trị chỉ ra trong Bảng 62 được xác định:

n) Vô hiệu hóa IFD.

o) Lặp lại bước a) đến n) cho tất cả các lớp điện áp được hỗ trợ.

7.4.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo thử nghiệm phải nêu giá trị xác định theo qui trình, tham số tương ứng và tất cả các truyền thông phù hợp với TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

7.5 Tiếp xúc RST

Mục đích của thử nghiệm này là xác định đặc tính của tín hiệu RST (xem 5.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

7.5.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

7.5.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụthử nghiệmIFD.

a) Thiết lập tham số sau đây trong dụng cụthử nghiệmIFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi IFD):

Bảng 64 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Tham số	Thiết lập
lcc	lcc lớn nhất
l_lH	l_lH lớn nhất
l_lL	l_lLlớn nhất

b) Kích hoạt IFD.

c) IFD khởi động lại dụng cụthử nghiệmIFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

d) Tạo một ATR.

e) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

Bảng 65 - Giá trị được xác định

Đặc tính (RST)	Giá trị
U_lH	U_lH nhỏ nhất, U_lH lớn nhất
U_lL	U_lL nhỏ nhất, U_lL lớn nhất
t_R	t_R lớn nhất
t_F	t_F lớn nhất

g) Vô hiệu hóa IFD.

h) Thiết lập tham số trong dụng cụthử nghiệmIFD (bắt đầu với lớp điện áp thấp nhất được hỗ trợ bởi FD) như chỉ ra trong Bảng 66:

Bảng 66 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Tham số	Thiết lập
lcc	lcc lớn nhất
I_IH	I_IH nhỏ nhất
l_lL	l_lL nhỏ nhất

i) Kích hoạt IFD.

j) IFD khởi động lại dụng cụthử nghiệmIFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

k) Tạo một ATR.

l) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

m) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụthử nghiệmIFD. Trong truyền thông này đặc tính và giá trị chỉ ra trong Bảng 65 phải được giám sát liên tục và xác định giá trị.

n) Vô hiệu hóa IFD.

o) Lặp lại bước a) đến n) cho tất cả các lớp điện áp được hỗ trợ.

7.5.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo giá trị xác định trong qui trình và tham số tương ứng.

7.6 Tiếp xúc SPU (C6)

Thử nghiệm này chỉ nên áp dụng khi SPU (C6) trong thẻ không cách điện, hạng mục đích của thử nghiệm này là đo điện áp được cung cấp bởi IFD trên tiếp xúc SPU (C6) (xem 5.2.4, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

7.7 Vô hiệu hóa các tiếp xúc

Mục đích của thử nghiệm này là xác định trình tự Vô hiệu hóa các tiếp xúc bởi IFD (xem 6.4, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

7.7.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

7.7.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụthử nghiệmIFD.

a) Kích hoạt IFD.

b) IFD khởi động lại dụng cụthử nghiệmIFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

c) TạomộtATR.

d) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

e) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụthử nghiệmIFD. Đối với mỗi qui trình vô hiệu hóa trong hoặc cuối truyền thông, việc bắt đầu với cạnh đổ phía dưới của RSTtín hiệu, tiếp tục kiểm soát các tiếp xúc VCC, RST, CLK và I/O và ghi điện áp và định xung nhịp thời gian của tất cả các chuyển tiếp tín hiệu trên các tiếp xúc này.

Phải dùng giá trị bằng 20 ns như trễ nhỏ nhất giữa 2 chuỗi chuyển tiếp tín hiệu trong quá trình kích hoạt các tiếp xúc đến khi một giá trị khác được xác định trong TCVN 11167-3(ISO/IEC 7816-3)

8 Phương pháp thử hoạt động lô-gic của IFD

8.1 Trả lời để khởi động lại

8.1.1 Thiết lập thẻ (Khởi động lại lạnh)

Mục đích của thử nghiệm này là xác định khởi động lại lạnh được cung cấp bởi IFD (xem 6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3))

8.1.1.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.1.1.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụ-thử nghiệm-IFD.

a) Kích hoạt IFD.

b) Liên tục giám sát tín hiệu RST và xác định định xung nhịp thời gian (tương đối so với CLK-tín hiệu) và điện áp của tất cả các chuyển đổi trên các tiếp xúc RST ít nhất trong 1s.

8.1.1.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo điện áp và định xung nhịp thời gian của tất cả các chuyển tiếp tín hiệu trên tiếp xúc RST.

8.1.2 Thiết lập thẻ (Khởi động lại nóng)

Mục đích của thử nghiệm này là xác định khởi động lại nóng cung cấp bởi IFD (xem 6.2.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

8.1.2.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.1.2.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụ thử nghiệmIFD.

a) Kích hoạt IFD.

b) IFD khởi động lại dụng cụ-thử nghiệm-IFD (6.2.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

c) Tạo một ATR.

d) Nếu IFD tạo ra một PPS, thì truyền một đáp ứng PPS với tham số được yêu cầu.

e) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm với dụng cụthử nghiệmIFD. Trong truyền thông này tín hiệu RST phải được kiểm soát liên tục và điện áp và định xung nhịp thời gian (liên quan đến CLK tín hiệu) của bất kỳ việc truyền tín hiệu được ghi.

8.1.2.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo điện áp và định xung nhịp thời gian của tất cả các khởi động lại nóng được cung cấp bởi IFD, nếu có.

8.2 Giao thức T=0

Các thử nghiệm tiếp theo sau có thể chỉ được áp dụng nếu IFD hỗ trợ giao thức T=0.

CHÚ THÍCH ε_t được xác định trong Bảng 14 - Định xung nhịp thời gian ký tự I/O (chế độ tiếp nhận).

8.2.1 Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O đối với giao thức T=0

Mục đích của thử nghiệm này là xác định định xung nhịp thời gian của dữ liệu được truyền bởi IFD.

8.2.1.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.2.1.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụ thử nghiệmIFD.

Trong quá trình thực hiện qui trình sau đây các tiếp xúc VCC, RST, CLK và I/O phải được giám sát liên tục và tất cả các chuyển tiếp tín hiệu (mức và định xung nhịp thời gian) cũng như nội dung lô-gic của truyền thông phải được ghi lại:

a) Thiết lập thời gian bảo vệ lớn nhất tại IFD bởi việc thiết lập tham số N trong ATR đến 254 (xem 8.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

b) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm.

c) Lặp lại a) đến b) với từng hệ sốetu được cung cấp.

d) Lặp lại c) đối với tất cả các ứng dụng được hỗ trợ. Lựa chọn ứng dụng bằng cách thay đổi ATR và lựa chọn chế độ như mô tả trong 6.3.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

8.2.1.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

8.2.2 Sao chép ký tự I/O đối với giao thức T=0

Mục đích của thử nghiệm này là xác định việc sử dụng và định xung nhịp thời gian của việc sao chép ký tự bởi IFD (xem 7.3, 10.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

8.2.2.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.2.2.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụthử nghiệmIFD.

a) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm.

c) Tạo 3 thời gian liên tiếp tại mỗi byte nhận được từ IFD một tín hiệu báo lỗi theo 7.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) với khoảng thời gian nhỏ nhất (1 etu + ε_t) và thời gian nhỏ nhất giữa cạnh dẫn của bit bắt đầu và cạnh dẫn của tín hiệu báo lỗi ((10,5 - 0,2) etu + ε_t).

d) Tạo 3 thời gian liên tiếp tại mỗi byte nhận được từ IFD một tín hiệu báo lỗi theo 7.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) với khoảng thời gian lớn nhất (2 etu - ε_t) và thời gian lớn giữa cạnh dẫn của bit bắtđầu và cạnh dẫn của tín hiệu báo lỗi ((10,5 + 0,2) etu - ε_t).

e) Lặp lại c) đến d) cho tất cả các hệ sốetu được hỗ trợ.

f) Lặp lại e) nhưng tạo ra tín hiệu báo lỗi 5 thay vì 3 lần liên tiếp.

8.2.2.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

Như một bổ sung cho TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3) IFD phải từ chối thẻ (dụng cụthử nghiệmIFD)trong bước f). Xác định giá trị sao chép nhỏ nhất và lớn nhất là cần thiết (nhỏ nhất = 3; lớn nhất. = 5)cho IFD ngăn việc bị khóa.

8.2.3 Định xung nhịp thời gian tiếp nhận I/O và tín hiệu báo lỗi đối với giao thức T=0

Mục đích của thử nghiệm này là xác định định xung nhịp thời gian tiếp nhận và tín hiệu báo lỗi của IFD (xem 7.1, 7.2, 7.3, 10.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

8.2.3.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.2.3.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụ-thử nghiệm-IFD.

a) Thiết lập tham sốđịnh xung nhịp thời gianbit dưới đây tại dụng cụthử nghiệmIFD:

Bảng 67 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm IFD

Tham số	Giá trị	Xem
Độ dài khung ký tự	lớn nhất (t_n = (n + 0,2) etu -ε_t)	Điều 7, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
Trễ giữa 2 ký tự liên tiếp	960 x 255 x (Fi/f)	Điều 7, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)

b) Để IFD thực hiện kịch bản thử nghiệm.

c) Tạo 3 lỗi chẵn lẻ liên tiếp cho mỗi byte.

d) Lặp lại a) đến c) với từng hệ sốetu được cung cấp.

e) Thiết lập tham sốđịnh xung nhịp thời gianbit dưới đây tại dụng cụthử nghiệmthẻ:

Bảng 68 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm thẻ

Tham số	Giá trị	Xem
Độ dài khung ký tự	Nhỏ nhất (t_n = (n - 0,2) etu + ε_t)	Điều 7,8.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3),
Trễ giữa 2 ký tự liên tiếp	12 etu + ε_t	Điều 7, 8.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3),

f) Lặp lại b) đến d).

g) Lặp lại a) đến f) nhưng tạo 5 lỗi chẵn lẻ liên tiếp cho mỗi byte thay vì 3.

8.2.3.3 Báo cáo thử nghiệm:

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

Như một bổ sung cho TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3), IFD phải loại bỏ thẻ (dụng cụthử nghiệmIFD) trong bước f). Xác định giá trị sao chép nhỏ nhất và lớn nhất là cần thiết (nhỏ nhất = 3; lớn nhất = 5) cho IFD ngăn việc bị khóa.

8.3 Giao thức T=1

Các thử nghiệm tiếp theo chỉ có thể áp dụng nếu IFD hỗ trợ giao thức T=1.

CHÚ THÍCH Một số trong các mô tả tiếp theo của phương pháp thử có chứa các kịch bản để minh họa các qui trình được mô tả. Một vài kịch bản này dựa trên giả định rằng dụng cụthử nghiệmthẻ chứa một tệp rõ ràng với một chiều dài 36 byte và có nội dung ‘31 32 33 34 ...54’ và hiểu l(0,0)(INF= ‘00 B0 00 00 02’) như 2 byte READ BINARY (đọc nhị phân).

8.3.1 Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O đối với giao thức T=1

Mục đích của thử nghiệm này là xác định định xung nhịp thời gian của dữ liệu được truyền dẫn bởi IFD (xem 7.1,7.2, 8.3, 11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3).

8.3.1.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.3.1.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụthử nghiệmIFD.

a) Để IFD thực hiện một T=1 điển hình và truyền thông cụ thể ứng dụng với một thời gian bảo vệ xác định bởi việc thiết lập N trong ATR đến 254 (xem 8.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

b) Lặp lại a) với N thiếp lập ở 0.

c) Lặp lại a) với N thiếp lập đến 12.

d) Lặp lại a) đến c) với từng hệ số-etu được hỗ trợ.

e) Lặp lại a) và d) với N thiếp lập đến 255.

8.3.1.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

8.3.2 Định xung nhịp thời gian tiếp nhận I/O đối với giao thức T=1

Mục đích của thử nghiệm này là xác định việc định xung nhịp thời gian tiếp nhận của IFD sử dụng giao thức T=1 (xem Điều 7 và 11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3))

8.3.2.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.3.2.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụthử nghiệmIFD.

a) Thiết lập tham sốđịnh xung nhịp thời gianbit dưới đây tại dụng cụthử nghiệmIFD:

Bảng 69 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm IFD

Tham số	Giá trị	Xem
Độ dài khung ký tự	Lớn nhất (t_n = (n + 0,2) etu - ε_t)	Điều 7, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
Thời gian đáp ứng khối (BRT)	Lớn nhất	11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
Trễ giữa 2 ký tự liên tiếp trong khối	CWI	11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
Trễ giữa 2 ký tự liên tiếp gửi theo hướng đối ngược	Lớn nhất (11 etu + 2BWI x 960 x 372/f s - ε_t)	11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
CHÚ THÍCH Thời gian đáp ứng khối được xác định như thời gian giữa cạnh dẫn của ký tự cuối cùng của khối nhận được và cạnh dẫn của ký tự đầu tiên của khối tiếp theo.

b) Để IFD thực hiện một T=1 điển hình và truyền thông cụ thể ứng dụng.

c) Lặp lại a) với từng hệ số etu được cung cấp.

d) Thiết lập tham số định xung nhịp thời gian bit dưới đây tại dụng cụ thử nghiệm thẻ:

Bảng 70 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm thẻ

Tham số	Giá trị	Xem
Độ dài khung ký tự	Nhỏ nhất(t_n = (n - 0,2) etu + ε_t)	Điều 7, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
Thời gian đáp ứng khối (BRT)	Nhỏ nhất	11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
Trễ giữa 2 ký tự liên tiếp trong khối	Nhỏ nhất(11 etu + ε_t)	11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
Trễ giữa 2 cạnh dẫn của 2 ký tự gửi theo hướng đối ngược	Nhỏ nhất (22 etu + ε_t)	11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)
CHÚ THÍCH Thời gian đáp ứng khối được xác định như thời gian giữa cạnh dẫn của ký tự cuối cùng của khối nhận được và cạnh dẫn của ký tự đầu tiên của khối tiếp theo được gửi.

8.3.2.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các bản ghi lại giao thức.

8.3.3 Cách hoạt động thời gian chờ ký tự (CWT) IFD

Mục đích của thử nghiệm này là xác định các phản ứng của IFD tới một thẻ phản ứng trong CWT (xem11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

8.3.3.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.3.3.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụthử nghiệmIFD.

a) IFD gửi một khối I

b) Đo thời gian giữa các cạnh dẫn của mỗi cặp ký tự liên tiếp tạo khốil.

Kịch bản 12 - Cách hoạt động thời gian chờ ký tự (CWT) IFD

8.3.3.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo định xung nhịp thời gian của đáp ứng IFD đạt được trong qui trình bước b).

8.3.4 Đáp ứng-IFD đối với CWT vượt quá của thẻ

Mục đích của thử nghiệm này là xác định các phản ứng của IFD tới một thẻ vượt qua CWT (xem11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

8.3.4.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.3.4.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụthử nghiệmIFD.

a) IFD gửi một khốil đến dụng cụthử nghiệmIFD. Dụng cụthử nghiệmIFD gửi ít hơn n byte của một khối của n byte đến IFD.

b) Ghi lại sự có mặt, nội dung và định xung nhịp thời gian của đáp ứng IFD.

CHÚ THÍCH Phản ứng của IFD có thể do va chạm là kết quả của việc bị gián đoạn cần được điều tra.

Kịch bản 13 - Đáp ứngIFD đối với thẻ vượt qua CWT

8.3.4.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo sự có mặt, nội dung và định xung nhịp thời gian của đáp ứng IFD.

8.3.5 Thời gian bảo vệ khối (BGT)

Mục đích của thử nghiệm này là đo thời gian giữa các cạnh dẫn của hai ký tự liên tiếp được gửi theo các hướng đối nghịch nhau (xem 11.4.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

8.3.5.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.3.5.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụthử nghiệmIFD.

a) IFD gửi một khốil.

b) Dụng cụthử nghiệmIFD gửi một khối báo chưa nhận (NAK) R.

c) IFD lặp lại khốil được gửi trước đó.

d) Đo và ghi thời gian giữa cạnh dẫn của ký tự cuối cùng của khối R và ký tự đầu tiên của khốil thứ hai.

Kịch bản 14 - Thời gian bảo vệ khối (BGT)

8.3.5.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo định xung nhịp thời gian đạt được theo qui trình bước d).

8.3.6 Xếp thứ tự khối bởi IFD

Mục đích của thử nghiệm này là xác định các phản ứng của IFD đối với các lỗi truyền dẫn (xem 11.6.3, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

8.3.6.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.3.6.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụthử nghiệm IFD.

8.3.6.2.1 Qui trình 1 (11.6.3.2, nguyên tắc 7.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3), Phụ lục A, kịch bản 9, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3))

a) Khởi động lại giao thức tại dụng cụthử nghiệmIFD.

b) IFD gửi khối l(0,0) đến dụng cụthử nghiệmIFD.

c) Dụng cụthử nghiệmIFD gửi một khối không hợp lệ đến IFD:

Kịch bản 15 - Xếp thứ tự khối bởi IFD, Qui trình 1 (11.6.3.2, nguyên tắc 7.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3), Phụ lục A, kịch bản 9, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3))

d) Ghi đáp ứng, nếu có, của IFD.

8.3.6.2.2 Qui trình 2 (11.6.3.2, nguyên tắc 7.4.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3))

a) Khởi động lại giao thức tại dụng cụthử nghiệmIFD.

b) IFD gửi khối l(0,0) đến dụng cụthử nghiệmIFD.

c) Dụng cụ thử nghiệmIFD gửi một khối không hợp lệ đến IFD.

d) Dụng cụthử nghiệmIFD chờ IFD đáp ứng sau đó gửi một khối thứ 2 không hợp lệ đến IFD.

e) Ghi đáp ứng, nếu có, từ IFD.

f) Nếu đáp ứng IFD là một khối R với PCB=81, dụng cụthử nghiệmIFD gửi một khối hợp lệ thứ 3 đến IFD, mặt khác đánh giá đáp ứng ngược với các tiêu chí thử nghiệm và kết thúc thử nghiệm.

g) Ghi đáp ứng, nếu có, từ IFD.

Kịch bản 16 - Xếp thứ tự khối bởi IFD, Qui trình 2 (11.6.3.2, nguyên tắc 7.4.2, TCVN 11167-3(ISO/IEC 7816-3))

8.3.6.2.3 Qui trình 3 (với liên kết chuỗi) (11.6.3.2, nguyên tắc 7.1 và nguyên tắc 5, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3))

a) Khởi động lại giao thức tại dụng cụthử nghiệmIFD.

b) IFD gửi khối l(0,0) đến dụng cụthử nghiệmIFD, với trường INF chứa một lệnh hỗ trợ bởi dụng cụthử nghiệmIFD.

c) Dụng cụthử nghiệmIFD gửi khối đầu tiên của móc chuỗi trong khối block 1(0,1) và chờ IFD đáp ứng.

d) Dụng cụthử nghiệm IFD gửi một khối không hợp lệ đến IFD.

e) Ghi đáp ứng, nếu có, từ IFD.

f) Đánh giá đáp ứng nguyên tắc 7.1; nếu không phù hợp với các tiêu chí kết thúc thử nghiệm, mặt khác dụng cụthử nghiệmIFD gửi khối thứ 2 của chuỗi không mắc lỗi.

g) Ghi đáp ứng, nếu có, từ IFD.

Kịch bản 17 - Xếp thứ tự khối bởi IFD, Qui trình 3 (với liên kết chuỗi) (11.6.3.2, nguyên tắc 7.1 vànguyên tắc 5, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3))

8.3.6.2.4 Qui trình 4 (11.6.3.2, nguyên tắc 7.4.2, kịch bản 34, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3))

a) Duy trì dụng cụthử nghiệmIFD câm lặng sau một chuỗi ATR hợp lệ.

b) IFD gửi một khối I dụng cụthử nghiệm IFD.

c) Ghi tất cả các đáp ứng từ IFD trong ít nhất 3 giai đoạn BWT liên tiếp.

Kịch bản 18 - Xếp thứ tự khối bởi IFD, Qui trình 4 (11.6.3.2, nguyên tắc 7.4.2, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3), Phụ lục A, kịch bản 34, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3))

8.3.6.2.5 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo các đáp ứng, nếu có, của IFD đối với từng qui trình.

8.3.7 Khôi phục lỗi truyền dẫn bởi IFD

Mục đích của thử nghiệm này là kiểm tra IFD phản ứng với một báo chưa nhận (NAK) theo tiêu chuẩn (xem TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

8.3.7.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.3.7.2 Qui trình

a) Yêu cầu một khối-l từ IFD.

b) Gửi một khối báo chưa nhận (NAK) R.

c) Ghi lại phản ứng của IFD.

Kịch bản 19 - Khôi phục lỗi truyền dẫn bởi IFD

8.3.7.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo phản ứng của IFD.

8.3.8 Thỏa thuận IFSC

Mục đích của thử nghiệm này là kiểm tra thỏa thuận IFSC (xem TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

8.3.8.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.3.8.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụthử nghiệmIFD.

a) Khởi động lại dụng cụthử nghiệmIFD.

b) Trao đổi một khốil theo từng hướng với một lệnh được hỗ trợ bởi dụng cụthử nghiệmIFD, với trường INF chứa một lệnh hỗ trợ bởi IFD.

c) Gửi khối S(IFS yêu cầu) đến IFD.

d) Ghi lại phản ứng của IFD.

8.3.8.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo phản ứng của IFD.

8.3.9 Bỏ qua khi lỗi bởi thẻ

Mục đích của thử nghiệm này là kiểm tra bỏ qua khi lỗi móc chuỗi (xem TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816- 3))

8.3.9.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.3.9.2 Qui trình

Nối IFD với dụng cụthử nghiệmIFD.

a) Khởi động lại dụng cụthử nghiệmIFD.

b) IFD gửi khốil đến dụng cụthử nghiệm IFD, với trường INF chứa một lệnh hỗ trợ bởi bộ mô phỏng (Đọc nhị phân của 36 byte không có khoảng bù, xem TCVN 11167-4:2016 (ISO/IEC 7816-4:2005)).

c) Dụng cụthử nghiệmIFD gửi khối đầu tiên của móc chuỗi trong khối 1(0,1), mà IFD phải đáp ứng R(1).

d) Gửi một yêu cầu ABORT đến IFD.

Kịch bản 20 - IFD - Phản ứng của IFD để nhận S(IFS yêu cầu)

Kịch bản 21 - Bỏ qua khi lỗi bởi thẻ IFD

e) Ghi lại sự có mặt và nội dung của đáp ứng của IFD.

8.3.9.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo sự có mặt và nội dung của đáp ứng của IFD.

8.4 IFD - đáp ứng của IFD đối với các PCB hợp lý

Mục đích của thử nghiệm này là phân tích phản ứng của IFD đến các PCB không hợp lệ (xem 11.6.3.1, TCVN 11167-3 (ISO/IEC 7816-3)).

8.4.1 Dụng cụ

Xem 4.7.2

8.4.2 Qui trình

a) Khởi động lại dụng cụthử nghiệmIFD.

b) IFD gửi khối l(0,0) đến dụng cụthử nghiệmIFD, với trường INF chứa một lệnh hỗ trợ bởi dụng cụthử nghiệmIFD (Đọc nhị phân của 2 byte không có khoảng bù (xem TCVN 11167-4:2016 (ISO/IEC 7816-4:2005)).

c) Gửi một khối có sai lỗi đến IFD với một PCB hợp lệ (mã hóa không rõ). Bit chẵn lẻ và EDC của khối này phải được chỉnh sửa đúng.

Kịch bản 22 - IFD - đáp ứng của IFD đối với các PCB hợp lý

d) Ghi lại sự có mặt và nội dung của đáp ứng từ IFD.

8.4.3 Báo cáo thử nghiệm

Báo cáo sự có mặt và nội dung của đáp ứng từ IFD.

MỤC LỤC

Lời nói đầu

1 Phạm vi áp dụng

2 Tài liệu viện dẫn

3 Thuật ngữ và định nghĩa

3.1 Thẻ (card)

3.2 Thiết bị đang thử nghiệm (device under test)

3.3 Hệ số etu (etu-factor)

3.4 IFD

3.5 Sử dụng thông thường (normal use)

3.6 Phương pháp thử (test method)

3.7 Kịch bản thử nghiệm (test scenario)

3.8 Giao thức điển hình và trao đổi thông tin ứng dụng cụ thể (typical protocol and applicationspecificcommunication)

4 Hạng mục chung áp dụng đối với phương pháp thử

4.1 Môi trường thử nghiệm

4.2 Điều kiện ổn định trước

4.3 Lựa chọn phương pháp thử

4.4 Dung sai mặc định

4.5 Độ không đảm bảo đo tổng

4.6 Quy ước phép đo điện

4.7 Dụng cụ

4.7.1 Dụng cụ thử nghiệm thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc (dụng cụ thử nghiệm thẻ)

4.7.2 Dụng cụ thử nghiệm thiết bị giao diện (Dụng cụthử nghiệmIFD)

4.7.3 Kịch bản thử nghiệm

4.8 Mối quan hệ của phương pháp thử so với yêu cầu tiêu chuẩn cơ bản

5 Phương pháp thử đặc tính điện của thẻ có tiếp xúc

5.1 Tiếp xúc VCC

5.1.1 Dụng cụ

5.1.2 Qui trình

5.1.3 Báo cáo thử nghiệm

5.2 Tiếp xúc I/O

5.2.1 Dụng cụ

5.2.2 Qui trình

5.2.3 Báo cáo thử nghiệm

5.3 Tiếp xúc CLK

5.3.1 Dụng cụ

5.3.2 Qui trình

5.3.3 Báo cáo thử nghiệm

5.4 Tiếp xúc RST

5.4.1 Dụng cụ

5.4.2 Qui trình

5.4.3 Báo cáo thử nghiệm

5.5 Tiếp xúc SPU (C6)

6 Phương pháp thử hoạt động lô-gic của thẻ có tiếp xúc

6.1 Trả lời để khởi động lại

6.1.1 Khởi động lại lạnh và Trả lờiđểKhởi động lại (ATR)

6.1.2 Khởi động lại nóng

6.2 Giao thức T=0

6.2.1 Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O đối với giao thức T=0

6.2.2 Lặp lại ký tự I/O đối với giao thức T=0

6.2.3 Định xung nhịp thời gian tiếp nhận I/O và tín hiệu báo lỗi đối với giao thức T=0

6.3 Giao thức T=1

6.3.1 Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O đối với giao thức T=1

6.3.2 Định xung nhịp thời gian tiếp nhận I/O đối với giao thức T=1

6.3.3 Cách hoạt động thời gian chờ ký tự (CWT)

6.3.4 Phản ứngthẻ tới IFD vượt quá thời gian chờ ký tự (CWT)

6.3.5 Thời gian bảo vệ khối (BGT)

6.3.6 Xếp thứ tự khối bởi thẻ

6.3.7 Đáp ứng của thẻ đối với lỗi giao thức

6.3.8 Khôi phục lỗi truyền dẫn bởi thẻ

6.3.9 Đồng bộ lại

6.3.10 Thỏa thuận IFSD

6.3.11 Bỏ qua khi lỗi bởi IFD

7 Phương pháp thử đặc tính vật lý và điện của IFD

7.1 Kích hoạt các tiếp xúc

7.1.1 Dụng cụ

7.1.2 Qui trình

7.1.3 Báo cáo thử nghiệm

7.2 Tiếp xúc VCC

7.2.1 Dụng cụ

7.2.2 Qui trình

7.2.3 Báo cáo thử nghiệm

7.3 Tiếp xúc I/O

7.3.1 Dụng cụ

7.3.2 Qui trình

7.3.3 Báo cáo thử nghiệm

7.4 Tiếp xúc CLK

7.4.1 Dụng cụ

7.4.2 Qui trình

7.4.3 Báo cáo thử nghiệm

7.5 Tiếp xúcRST

7.5.1 Dụng cụ

7.5.2 Qui trình

7.5.3 Báo cáo thử nghiệm

7.6 Tiếp xúc SPU (C6)

7.7 Vô hiệu hóa các tiếp xúc

7.7.1 Dụng cụ

7.7.2 Qui trình

7.7.3 Báo cáo thử nghiệm

8 Phương pháp thử hoạt động lô-gic của IFD

8.1 Trả lời để khởi động lại

8.1.1 Thiết lập thẻ (Khởi động lại lạnh)

8.1.2 Thiết lập thẻ (Khởi động lại nóng)

8.2 Giao thức T=0

8.2.1 Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O đối với giao thức T=0

8.2.2 Sao chép ký tự I/O đối với giao thức T=0

8.2.3 Định xung nhịp thời gian tiếp nhận I/O và tín hiệu báo lỗi đối với giao thức T=0

8.3 Giao thức T=1

8.3.1 Định xung nhịp thời gian truyền dẫn I/O đối với giao thức T=1

8.3.2 Định xung nhịp thời gian tiếp nhận I/O đối với giao thức T=1

8.3.3 Cách hoạt động thời gian chờ ký tự (CWT) IFD

8.3.4 Đáp ứngIFD đối với CWT vượt quá của thẻ

8.3.5 Thời gian bảo vệ khối (BGT)

8.3.6 Xếp thứ tự khối bởi IFD

8.3.7 Khôi phục lỗi truyền dẫn bởi IFD

8.3.8 Thỏa thuận IFSC

8.3.9 Bỏ qua khi lỗi bởi thẻ

8.4 IFD - đáp ứng của IFD đối với các PCB hợp lý

8.4.1 Dụng cụ

8.4.2 Qui trình

8.4.3 Báo cáo thử nghiệm

Danh sách Bảng

Bảng 1 - Điện áp và định xung nhịp thời gian cho VCC

Bảng 2 - Tham số l_CC

Bảng 3 - Điện áp RST và định xung nhịp thời gian

Bảng 4 - Dòng RST

Bảng 5 - Điện áp I/O và định xung nhịp thời gian

Bảng 6 - Dòng I/O (chế độ tiếp nhận)

Bảng 7 - Dòng I/O

Bảng 8 - Điện áp I/O và định xung nhịp thời gian

Bảng 9 - Điện áp CLK

Bảng 10 - Dạng sóng CLK

Bảng 11 - Dòng CLK

Bảng 12 - Điện dung tiếp xúc

Bảng 13 - Kích hoạt và vô hiệu hóa

Bảng 14 - Định xung nhịp thời gian ký tự I/O (chế độ tiếp nhận)

Bảng 15 - Đặc tính định xung nhịp thời gian

Bảng 16 - Dòng VCC

Bảng 17 - Điện áp VCC và định xung nhịp thời gian

Bảng 18 - Điện áp SPU và định xung nhịp thời gian

Bảng 19- Dòng RST

Bảng 20 - Điện áp RST và định xung nhịp thời gian

Bảng 21 - Các dòng I/O

Bảng 22 - Điện áp I/O và định xung nhịp thời gian

Bảng 23 - I/O điện áp và định xung nhịp thời gian (chế độ truyền dẫn)

Bảng 24 - Dòng I/O (chế độ truyền dẫn)

Bảng 25-Dòng CLK

Bảng 26 - Điện áp CLK và định xung nhịp thời gian

Bảng 27 - Dạng sóng CLK

Bảng 28 - Điện dung tiếp xúc

Bảng 29 - Định xung nhịp thời gian tham số

Bảng 30 - Đặc tính định xung nhịp thời gian

Bảng 31 - Trở kháng

Bảng 32 - Phương pháp thử đặc tính điện của thẻ có tiếp xúc

Bảng 33 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của thẻ có tiếp xúc - Trả lời để khởi động lại

Bảng 34- Phương pháp thử hoạt động lô-gic của thẻ có tiếp xúc - Giao thức T=0

Bảng 35 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của thẻ có tiếp xúc - Giao thức T=1

Bảng 36 - Phương pháp thử đặc tính vật lý và điện của IFD

Bảng 37 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của IFD - Trả lời để khởi động lại

Bảng 38 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của IFD - Giao thức T=0

Bảng 39 - Phương pháp thử hoạt động lô-gic của IFD - Giao thức T=1

Bảng 40 - Tham số dụng cụ thử nghiệmthẻ

Bảng 41 - Tín hiệu theo dõi

Bảng 42 - Tham số dụng cụ thử nghiệmthẻ

Bảng 43 - Xác định giá trị

Bảng 44 - Tham số dụng cụ thử nghiệmthẻ

Bảng 45 - Giá trị được xác định

Bảng 46 - Tham số dụng cụ thử nghiệmthẻ

Bảng 47 - Giá trị được xác định

Bảng 48- Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm thẻ

Bảng 49 - Dụng cụ thử nghiệm thẻ dụng cụ định xung nhịp thời gian bit

Bảng 50 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm thẻ

Bảng 51 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm thẻ

Bảng 52 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Bảng 53 - Tham số ATR

Bảng 54 - Giá trị được xác định

Bảng 55 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Bảng 56 - Tham số ATR

Bảng 57 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Bảng 58 - Giá trị được xác định

Bảng 59 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Bảng 60 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Bảng 61 - Tham số ATR

Bảng 62 - Giá trị được xác định

Bảng 63 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Bảng 64 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Bảng 65 - Giá trị được xác định

Bảng 66 - Tham số dụng cụ thử nghiệm IFD

Bảng 67 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm IFD

Bảng 68 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm thẻ

Bảng 69 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm IFD

Bảng 70 - Tham số định xung nhịp thời gian bit dụng cụ thử nghiệm thẻ

Số hiệu	TCVN11688-3:2016
Loại văn bản	Tiêu chuẩn Việt Nam
Cơ quan	Đã xác định
Ngày ban hành	01/01/2016
Người ký	Đã xác định
Ngày hiệu lực	01/01/1970
Tình trạng	Còn hiệu lực

Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 11688-3:2016 (ISO/IEC 10373-3:2010) về Thẻ định danh - Phương pháp thử - Phần 3: Thẻ mạch tích hợp có tiếp xúc và thiết bị giao diện liên quan

Được hướng dẫn ()Xem thêmẨn bớt

Bị hủy bỏ ()Xem thêmẨn bớt

Được bổ sung ()Xem thêmẨn bớt

Đình chỉ ()Xem thêmẨn bớt

Bị đình chỉ ()Xem thêmẨn bớt

Bị đinh chỉ 1 phần ()Xem thêmẨn bớt

Bị quy định hết hiệu lực ()Xem thêmẨn bớt

Bị bãi bỏ ()Xem thêmẨn bớt

Được sửa đổi ()Xem thêmẨn bớt

Được đính chính ()Xem thêmẨn bớt

Bị thay thế ()Xem thêmẨn bớt

Được điều chỉnh ()Xem thêmẨn bớt

Được dẫn chiếu ()Xem thêmẨn bớt

Văn bản hiện tại

Hướng dẫn ()Xem thêmẨn bớt

Hủy bỏ ()Xem thêmẨn bớt

Bổ sung ()Xem thêmẨn bớt

Đình chỉ 1 phần ()Xem thêmẨn bớt

Quy định hết hiệu lực ()Xem thêmẨn bớt

Bãi bỏ ()Xem thêmẨn bớt

Sửa đổi ()Xem thêmẨn bớt

Đính chính ()Xem thêmẨn bớt

Thay thế ()Xem thêmẨn bớt

Điều chỉnh ()Xem thêmẨn bớt

Dẫn chiếu ()Xem thêmẨn bớt